-
公开(公告)号：CN114784214B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210203960.2
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极，组成钙钛矿发光二极管的器件结构，取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液，转移到空穴传输层上，制备钙钛矿发光层。本发明利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9‑二(3'‑(N,N‑二甲氨基)丙基)‑2,7‑芴)‑2,7‑(9,9‑二辛基芴)]的溶剂，沉积平整致密、具有良好能级匹配的电子传输层，构筑高效率的全溶液钙钛矿发光二极管。
-
公开(公告)号：CN111117602B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201911393742.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梯度核壳结构的大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先制备均匀的铟前驱体溶液；然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入三(三甲基硅基)膦并升温至第二温度，形成磷化铟核；再加入额外的铟前驱体溶液和羧酸锌前驱体，进行磷化铟核的二次生长；然加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度，形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。在磷化铟核二次生长的过程中，通过加入羧酸锌以实现梯度核心的制备及便于厚壳硫化锌的包覆，量子点的发光效率有了显著的提高，尺寸分布更加均匀，对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
-
公开(公告)号：CN115347136A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210204912.5
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法，将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中，制备混合溶液，在不低于60℃加热搅拌至少4h，得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液，过滤后氮气环境保存以备使用；然从下而上首先是采用基底，在所述基底上设有ITO阳极；在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极，得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯，TFA‑中的C＝O可以与晶界处未配位的Pb2+结合，抑制离子迁移，使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
-
公开(公告)号：CN114836217A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210204863.5
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种黄光磷化铟量子点的制备方法，包括如下步骤：制备均匀的In前驱体溶液，并制备P前驱体溶液，备用；然后在20‑60℃的第一温度下，向In前驱体溶液中加入P前驱体溶液，并使混合溶液保持至少1h，形成InP纳米晶核，得到InP纳米晶核产物溶液；再降温到室温50℃下，向InP纳米晶核产物溶液中，继续加入合成外部壳层所需要的前体物质，并调至230‑310℃的第三温度，形成具有壳层包覆的InPQDs，从而得到黄光磷化铟量子点。本发明能简易制备保持高PLQY的黄光InPQDs，使其峰位移动到570nm，量子产率为68％。本发明通过改变溶剂种类的方式，能够实现在不改变其他反应条件的前提下而有效制成黄光InPQDs，并提高了InPQDs的光学性能。
-
公开(公告)号：CN113444514A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110669930.6
申请日：2021-06-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种疏水性钙钛矿‑聚合物复合材料及其制备方法，在钙钛矿纳米晶表面形成排列紧密的具有粗糙表面的微纳结构，将钙钛矿纳米晶进行包封，使聚合物复合材料形成疏水的外部包封层。本发明采用纯化后的钙钛矿纳米晶制备均匀分散的钙钛矿纳米晶(PNCs)溶液；将均匀分散的钙钛矿纳米晶溶液、八乙烯基‑POSS(OVS)和α‑氰基丙烯酸酯(ECA)混合搅拌，获得均匀的混合溶液；取混合溶液中上清液，得到钙钛矿复合材料(PNCs‑PECA‑OVS)。本发明通过材料的结构设计形成了一种具有低表面能和粗糙表面的微纳结构，该结构最大程度减少表面与水之间的接触，成功的实现了钙钛矿复合材料的超疏水、高稳定性能，能广泛应用于水下照明，显示以及生物领域，满足工业化需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107266337B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710333032.7
申请日：2017-05-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光材料甲脒卤化铅纳米晶的低温快速制备方法，首先将制备所需要的原料倒入烧杯，使用超声波细胞破碎仪对溶液进行搅拌，制成纳米晶原溶液；然后加入乙腈和甲苯，离心，去掉上清液，取离心处理后的沉淀；然后向沉淀加入甲苯，使沉淀溶解，再进行离心，去掉上清液，取离心处理后的沉淀，最终获得FAPbX3绿光纳米晶。本发明采用本发明工艺制备的FAPbBr3纳米晶能够实现稳定的“530‑535nm”的光致发光，本发明制备工艺不需要惰性气体和高温反应条件，能简单、高效、低温、大批量生产钙钛矿发光材料，量子产率达80%以上。
-
公开(公告)号：CN107240624A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710316255.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/26 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开了一种NiO复合薄膜、量子点发光器件及其制备和应用，采用M:NiO/NiO复合薄膜结构，由M金属掺杂NiO的M:NiO薄膜层和NiO薄膜层复合而成具有NiO成分梯度的M:NiO/NiO结构形式的复合材料薄膜，其中M金属为Li、Mg和Cu中的任意一种金属或合金，M金属掺杂NiO薄膜层中M掺杂摩尔比例为1~5mol%。既能解决空穴注入问题，改善器件中的载流子注入平衡，进而提高器件的性能及其稳定性，解决了现有量子点发光器件寿命短的问题。本发明除阴极使用真空蒸镀外，包括无机空穴复合层在内的全部功能层全部使用溶液旋涂法进行薄膜的制备，材料易获取，方法简单，成本较低。
-
公开(公告)号：CN114315646B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111477960.3
申请日：2021-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: C07C257/12 , C09K11/06 , C09K11/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法，首先进行超声合成或热注入法预合成反应制备钙钛矿纳米晶，并制备短链胺溴化物前驱体，然后将钙钛矿纳米晶溶液与短链胺溴化物混合，使用短链胺溴化物对纳米晶进行刻蚀，从而获得小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶溶液，所述蓝光钙钛矿纳米晶颗粒尺寸不大于9.2nm。本发明引入极性较强的短链胺进一步刻蚀，刻蚀去除了钙钛矿纳米晶的表面的空位缺陷以及结晶性低的部分，减少了纳米晶表面缺陷。并且刻蚀使得纳米晶的尺寸降低，且小于波尔激子半径；最终合成了形貌均一、发光效率高，稳定性好的小尺寸蓝光钙钛矿纳晶。本发明制备的钙钛矿纳米晶光电材料能够实现稳定可调发光以及高的PL QY，可应LED器件领域。
-
公开(公告)号：CN111146351B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010001249.X
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有介电层/量子点/介电层结构的发光场效应晶体管及其制备方法，从下而上依次设置栅极、绝缘层、电子传输层、第一介电层、量子点发光层、第二介电层、空穴传输层、源/漏极，第一介电层修饰电子传输层和量子点发光层的界面，第二介电层修饰量子点发光层与空穴传输层界面。通过介电层修饰量子点发光层与空穴传输层的界面，不仅减少空穴传输层与发光层间的空穴注入势垒，并且减少发光层的针孔，改善空穴的注入效率，降低非辐射复合，显著提高了发光场效应晶体管的发光效率。本发明还使用介电层修饰电子传输层与量子点发光层的界面，可以降低电子传输层内部的陷阱密度，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN111171814A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010016248.2
申请日：2020-01-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米棒的合成方法，首先制备钙钛矿纳米立方体和In-OAm前驱体，然后合成APbX3钙钛矿纳米棒原溶液，再向APbX3纳米棒原溶液中加入乙酸酯，进行离心处理；然后沉淀物质中加入溶剂，使沉淀物质溶解形成APbX3钙钛矿分散液，再进行离心，去除沉淀，最终获得APbX3纳米棒溶液。本发明采用新的合成策略，依靠中间体分解再结晶过程降低反应速率，允许足够的时间用于钙钛矿的结晶和生长；同时引入了珊瑚型三(二乙氨基)膦配体，诱导了纳米棒的取向性生长；作为表面配体提供更致密的有机配体层，与表面结合力更强，提高了纳米晶稳定性，最终合成了形貌尺寸均一、发光效率高，稳定性好的钙钛矿纳米棒。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.021 seconds)
