基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110299459B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201910514252.9

    申请日:2019-06-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法,发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料串联组成白光LED发光模组,由反光罩和透光罩进行边缘无缝连接组成空腔封装结构,对白光LED发光模组进行包覆,反光罩能反射发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料的出光,并使合成的白光从透光罩向LED器件外部进行出光,通过对红光的InP量子点、绿光的钙钛矿量子点、蓝光的氮化镓芯片进行堆叠从而发出白光。本发明量子点发光器件稳定性好,发光效率高,所得到的白光LED工艺简单,环境友好,易于工业化生产。

    基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110299459A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910514252.9

    申请日:2019-06-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法,发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料串联组成白光LED发光模组,由反光罩和透光罩进行边缘无缝连接组成空腔封装结构,对白光LED发光模组进行包覆,反光罩能反射发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料的出光,并使合成的白光从透光罩向LED器件外部进行出光,通过对红光的InP量子点、绿光的钙钛矿量子点、蓝光的氮化镓芯片进行堆叠从而发出白光。本发明量子点发光器件稳定性好,发光效率高,所得到的白光LED工艺简单,环境友好,易于工业化生产。

    具有核壳结构钙钛矿纳米晶材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107474823A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710573778.5

    申请日:2017-07-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构钙钛矿纳米晶材料及其制备方法,其晶体具有APbX3/BPbX3复合晶格结构,其晶格以APbX3形成钙钛矿晶核,并以BPbX3形成包覆于钙钛矿晶核APbX3外部的钙钛矿包壳,形成具有簇团量子点形式的APbX3/BPbX3复合钙钛矿材料,在钙钛矿单核外再包覆一层钙钛矿材料,制成具有核壳结构的钙钛矿纳米晶复合材料,使钙钛矿纳米晶复合材料晶体表面得到很好的钝化,减少了晶体表面缺陷态发光,增强了材料的本征发射性能,本发明制备工艺改变现有钙钛矿的表面效应,调节材料的发射光谱,增强量子产率。本发明工艺参数易于控制,可批量制备核壳结构纳米晶材料,有着广阔的产业化前景。

    钙钛矿发光材料甲脒溴化铅纳米晶的低温快速制备方法

    公开(公告)号:CN107266337B

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201710333032.7

    申请日:2017-05-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光材料甲脒卤化铅纳米晶的低温快速制备方法,首先将制备所需要的原料倒入烧杯,使用超声波细胞破碎仪对溶液进行搅拌,制成纳米晶原溶液;然后加入乙腈和甲苯,离心,去掉上清液,取离心处理后的沉淀;然后向沉淀加入甲苯,使沉淀溶解,再进行离心,去掉上清液,取离心处理后的沉淀,最终获得FAPbX3绿光纳米晶。本发明采用本发明工艺制备的FAPbBr3纳米晶能够实现稳定的“530‑535nm”的光致发光,本发明制备工艺不需要惰性气体和高温反应条件,能简单、高效、低温、大批量生产钙钛矿发光材料,量子产率达80%以上。

    基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110305660A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910514175.7

    申请日:2019-06-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 一种基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法。该方法将甲磺酸(MeS)阴离子引入L2An-1MnX3n+1钙钛矿前体来调节相组成的方法,从而产生更有效的能量传递路径。同时,MeS阴离子实现晶界和表面缺陷钝化,有效抑制非辐射复合。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜的激子寿命明显提高,三维钙钛矿晶粒得到明显的增多。通过在准二维金属卤化物钙钛矿前驱液中加入CsMeS来调节钙钛矿相组成,使得三维钙钛矿晶粒数目较传统方法更多的生成,从而产生更有效的能量传递路径。本发明方法使用的CsMeS没有掺入钙钛矿晶格,而是仅仅存在于钙钛矿晶格表面,CsMeS这种材料含有MeS阴离子可以实现准二维钙钛矿晶界和表面缺陷钝化,有效抑制非辐射复合。

    钙钛矿发光材料甲脒溴化铅纳米晶的低温快速制备方法

    公开(公告)号:CN107266337A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710333032.7

    申请日:2017-05-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光材料甲脒卤化铅纳米晶的低温快速制备方法,首先将制备所需要的原料倒入烧杯,使用超声波细胞破碎仪对溶液进行搅拌,制成纳米晶原溶液;然后加入乙腈和甲苯,离心,去掉上清液,取离心处理后的沉淀;然后向沉淀加入甲苯,使沉淀溶解,再进行离心,去掉上清液,取离心处理后的沉淀,最终获得FAPbX3绿光纳米晶。本发明采用本发明工艺制备的FAPbBr3纳米晶能够实现稳定的“530-535nm”的光致发光,本发明制备工艺不需要惰性气体和高温反应条件,能简单、高效、低温、大批量生产钙钛矿发光材料,量子产率达80%以上。

    全钙钛矿的太阳能电池和LED显示集成系统及其制备方法

    公开(公告)号:CN106981500A

    公开(公告)日:2017-07-25

    申请号:CN201710082403.9

    申请日:2017-02-16

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: H01L27/3227 H01L51/001 H01L51/56

    Abstract: 本发明公开了一种全钙钛矿的太阳能电池和LED显示集成系统及其制备方法,采用单步溶液法生长MAPbI3‑xClx薄膜,通过导线,将钙钛矿的太阳能电池的阳极与LED显示器件的阴极串联,并将钙钛矿的太阳能电池的阴极衬底和LED显示器件的阳极衬底串联,形成闭合回路,太阳能电池吸收太阳能,并放出电能为LED显示器件供电,完成太阳能电池和LED显示器件集成旋涂的制备,做到全钙钛矿系统,原材料相对易得,节省原材料和制作工序更加具有经济效应。本发明分别制备出高效的钙钛矿太阳能电池和LED显示器,最后进行集合,工序简单,便于流水线制备,而且节约材料,省时省能,易于大规模生产。

    基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110305660B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN201910514175.7

    申请日:2019-06-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 一种基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法。该方法将甲磺酸(MeS)阴离子引入L2An‑1MnX3n+1钙钛矿前体来调节相组成的方法,从而产生更有效的能量传递路径。同时,MeS阴离子实现晶界和表面缺陷钝化,有效抑制非辐射复合。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜的激子寿命明显提高,三维钙钛矿晶粒得到明显的增多。通过在准二维金属卤化物钙钛矿前驱液中加入CsMeS来调节钙钛矿相组成,使得三维钙钛矿晶粒数目较传统方法更多的生成,从而产生更有效的能量传递路径。本发明方法使用的CsMeS没有掺入钙钛矿晶格,而是仅仅存在于钙钛矿晶格表面,CsMeS这种材料含有MeS阴离子可以实现准二维钙钛矿晶界和表面缺陷钝化,有效抑制非辐射复合。

    基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110054214A

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201910202479.X

    申请日:2019-03-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法,首先制备CsPbX3钙钛矿前驱体溶液,然后采用旋涂工艺,将CsPbX3钙钛矿前驱体溶液设置于衬底上并固化退火成膜。在紫外灯的照射下,CsPbX3钙钛矿薄膜会根据卤素X的不同而呈现不同的颜色。本发明摒弃了传统用于制备CsPbX3钙钛矿薄膜的铯源溴化铯(CsBr),采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源,制备的钙钛矿薄膜成本明显减少,采用本发明制备的CsPbX3薄膜相比于传统方法制备的CsPbX3薄膜稳定性得到明显提高,钙钛矿粒径得到明显的减小,制备工艺更加环保和绿色健康。

    非PEDOT:PSS倒置串联量子点发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN109686850A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811585972.6

    申请日:2018-12-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明提供一种非PEDOT:PSS倒置串联量子点发光器件及其制备方法,在第一空穴注入层和第二电子传输层之间设置第二界面修饰层组成串联连接两个电致发光单元的连接层复合结构。本发明增加在一个电致发光单元的空穴注入层和另一个电致发光单元的电子传输层之间设置界面修饰层,通过空穴注入层/界面修饰层/电子传输层形成复合连接结构,作为连接层串联连接两个电致发光单元,该量子点发光器件适用于红、黄、绿、蓝四种颜色发光并能够有效地提高器件发光效率、亮度及寿命。

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