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公开(公告)号：CN111117602B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201911393742.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梯度核壳结构的大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先制备均匀的铟前驱体溶液；然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入三(三甲基硅基)膦并升温至第二温度，形成磷化铟核；再加入额外的铟前驱体溶液和羧酸锌前驱体，进行磷化铟核的二次生长；然加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度，形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。在磷化铟核二次生长的过程中，通过加入羧酸锌以实现梯度核心的制备及便于厚壳硫化锌的包覆，量子点的发光效率有了显著的提高，尺寸分布更加均匀，对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN114836217A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210204863.5
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种黄光磷化铟量子点的制备方法，包括如下步骤：制备均匀的In前驱体溶液，并制备P前驱体溶液，备用；然后在20‑60℃的第一温度下，向In前驱体溶液中加入P前驱体溶液，并使混合溶液保持至少1h，形成InP纳米晶核，得到InP纳米晶核产物溶液；再降温到室温50℃下，向InP纳米晶核产物溶液中，继续加入合成外部壳层所需要的前体物质，并调至230‑310℃的第三温度，形成具有壳层包覆的InPQDs，从而得到黄光磷化铟量子点。本发明能简易制备保持高PLQY的黄光InPQDs，使其峰位移动到570nm，量子产率为68％。本发明通过改变溶剂种类的方式，能够实现在不改变其他反应条件的前提下而有效制成黄光InPQDs，并提高了InPQDs的光学性能。
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公开(公告)号：CN107240624A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710316255.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/26 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开了一种NiO复合薄膜、量子点发光器件及其制备和应用，采用M:NiO/NiO复合薄膜结构，由M金属掺杂NiO的M:NiO薄膜层和NiO薄膜层复合而成具有NiO成分梯度的M:NiO/NiO结构形式的复合材料薄膜，其中M金属为Li、Mg和Cu中的任意一种金属或合金，M金属掺杂NiO薄膜层中M掺杂摩尔比例为1~5mol%。既能解决空穴注入问题，改善器件中的载流子注入平衡，进而提高器件的性能及其稳定性，解决了现有量子点发光器件寿命短的问题。本发明除阴极使用真空蒸镀外，包括无机空穴复合层在内的全部功能层全部使用溶液旋涂法进行薄膜的制备，材料易获取，方法简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN119020015A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410974146.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种白光量子点、制备方法及发光二极管，将硒粉与十八烯混合，获得第一前驱体溶液；将锌源、油酸和石蜡混合，获得第二前驱体溶液；将卤源和十八烯混合，获得第三前驱体溶液；将第一前驱体溶液和辛硫醇在惰性气体环境下混合，获得第四前驱体溶液；在280‑330℃时向无水醋酸锌、石蜡、油酸混合的反应中先注入第一前驱体溶液，再注射第三前驱体溶液，之后加入第四前驱体溶液，获得白光量子点，白光量子点包括X:ZnSe/ZnS，X包括Cl、Br和I中的一种或两种以上。本发明的量子点为单组分发射白光，改善了色漂移和重吸收效应。本专利受国家重点研发计划2022YFE0200200资助。
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公开(公告)号：CN111690401B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201911394191.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种增大磷化铟量子点发光核尺寸的制备方法，首先制备均匀的铟前驱体溶液并配置相应比例的磷前驱体；然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入部分三(三甲基硅基)膦；再进行升温过程中，温度到达第二温度时加入剩余的三(三甲基硅基)膦；然后加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度，形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。本发明方法通过分比例加入磷源的方式，能够实现在不改变In:P摩尔比的前提下而有效增大量子点的核尺寸，使量子点的发光效率有了显著的提高，尺寸分布更加均匀，使量子点的发光效率有了显著的提高，对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114315646A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111477960.3
申请日：2021-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: C07C257/12 , C09K11/06 , C09K11/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法，首先进行超声合成或热注入法预合成反应制备钙钛矿纳米晶，并制备短链胺溴化物前驱体，然后将钙钛矿纳米晶溶液与短链胺溴化物混合，使用短链胺溴化物对纳米晶进行刻蚀，从而获得小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶溶液，所述蓝光钙钛矿纳米晶颗粒尺寸不大于9.2nm。本发明引入极性较强的短链胺进一步刻蚀，刻蚀去除了钙钛矿纳米晶的表面的空位缺陷以及结晶性低的部分，减少了纳米晶表面缺陷。并且刻蚀使得纳米晶的尺寸降低，且小于波尔激子半径；最终合成了形貌均一、发光效率高，稳定性好的小尺寸蓝光钙钛矿纳晶。本发明制备的钙钛矿纳米晶光电材料能够实现稳定可调发光以及高的PL QY，可应LED器件领域。
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公开(公告)号：CN110305660A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910514175.7
申请日：2019-06-14
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/06
Abstract: 一种基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法。该方法将甲磺酸(MeS)阴离子引入L2An-1MnX3n+1钙钛矿前体来调节相组成的方法，从而产生更有效的能量传递路径。同时，MeS阴离子实现晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜的激子寿命明显提高，三维钙钛矿晶粒得到明显的增多。通过在准二维金属卤化物钙钛矿前驱液中加入CsMeS来调节钙钛矿相组成，使得三维钙钛矿晶粒数目较传统方法更多的生成，从而产生更有效的能量传递路径。本发明方法使用的CsMeS没有掺入钙钛矿晶格，而是仅仅存在于钙钛矿晶格表面，CsMeS这种材料含有MeS阴离子可以实现准二维钙钛矿晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。
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公开(公告)号：CN107240624B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710316255.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种NiO复合薄膜、量子点发光器件及其制备和应用，采用M:NiO/NiO复合薄膜结构，由M金属掺杂NiO的M:NiO薄膜层和NiO薄膜层复合而成具有NiO成分梯度的M:NiO/NiO结构形式的复合材料薄膜，其中M金属为Li、Mg和Cu中的任意一种金属或合金，M金属掺杂NiO薄膜层中M掺杂摩尔比例为1~5mol%。既能解决空穴注入问题，改善器件中的载流子注入平衡，进而提高器件的性能及其稳定性，解决了现有量子点发光器件寿命短的问题。本发明除阴极使用真空蒸镀外，包括无机空穴复合层在内的全部功能层全部使用溶液旋涂法进行薄膜的制备，材料易获取，方法简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN114315646B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111477960.3
申请日：2021-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: C07C257/12 , C09K11/06 , C09K11/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法，首先进行超声合成或热注入法预合成反应制备钙钛矿纳米晶，并制备短链胺溴化物前驱体，然后将钙钛矿纳米晶溶液与短链胺溴化物混合，使用短链胺溴化物对纳米晶进行刻蚀，从而获得小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶溶液，所述蓝光钙钛矿纳米晶颗粒尺寸不大于9.2nm。本发明引入极性较强的短链胺进一步刻蚀，刻蚀去除了钙钛矿纳米晶的表面的空位缺陷以及结晶性低的部分，减少了纳米晶表面缺陷。并且刻蚀使得纳米晶的尺寸降低，且小于波尔激子半径；最终合成了形貌均一、发光效率高，稳定性好的小尺寸蓝光钙钛矿纳晶。本发明制备的钙钛矿纳米晶光电材料能够实现稳定可调发光以及高的PL QY，可应LED器件领域。
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公开(公告)号：CN111139060A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911394014.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有周期核壳结构的超大尺寸磷化铟量子点的制备方法，先以第一温度制备均匀的铟前驱体溶液；然后以第二温度获得均一尺寸的磷化铟核；再以第三温度保温第一时间，形成具有壳层包覆硒化锌的磷化铟量子点；然后进行快速降温至第四温度；再以第五温度合成硫化锌壳层并保温第二时间；然后重复制备硒化锌层～制备硫化锌壳层阶段的过程，形成InP/[ZnSe/ZnS]n多周期核壳结构的大尺寸量子点。本发明方法以InP量子点为核，依次交替包覆ZnSe和ZnS壳层，通过ZnSe晶格对ZnS晶格的拉应力来释放ZnS对内部结构产生的压应力，极大提高了量子点稳定性，并达到超大尺寸的特性，量子点发光效率有了显著的提高。
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