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公开(公告)号:CN111690401A
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201911394191.3
申请日:2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种增大磷化铟量子点发光核尺寸的制备方法,首先制备均匀的铟前驱体溶液并配置相应比例的磷前驱体;然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入部分三(三甲基硅基)膦;再进行升温过程中,温度到达第二温度时加入剩余的三(三甲基硅基)膦;然后加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度,形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。本发明方法通过分比例加入磷源的方式,能够实现在不改变In:P摩尔比的前提下而有效增大量子点的核尺寸,使量子点的发光效率有了显著的提高,尺寸分布更加均匀,使量子点的发光效率有了显著的提高,对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号:CN111690401B
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN201911394191.3
申请日:2019-12-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种增大磷化铟量子点发光核尺寸的制备方法,首先制备均匀的铟前驱体溶液并配置相应比例的磷前驱体;然后在第一温度下向铟前驱体溶液中加入部分三(三甲基硅基)膦;再进行升温过程中,温度到达第二温度时加入剩余的三(三甲基硅基)膦;然后加入合成壳层所需要的前体物质并调至第三温度,形成具有壳层包覆的磷化铟量子点。本发明方法通过分比例加入磷源的方式,能够实现在不改变In:P摩尔比的前提下而有效增大量子点的核尺寸,使量子点的发光效率有了显著的提高,尺寸分布更加均匀,使量子点的发光效率有了显著的提高,对于InP量子点的使用和发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号:CN114656950A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202210203880.7
申请日:2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种绿光磷化铟量子点的制备方法,先制备均匀的铟(In)前驱体溶液,并制备磷(P)前驱体溶液,备用;然后在20‑60℃的第一温度下,向在所述步骤a中制备的In前驱体溶液中加入在所述步骤a中制备的P前驱体溶液,并使混合溶液保持至少1h,形成InP纳米晶核,得到InP纳米晶核产物溶液;再降温到不高于室温50℃下,向在所述步骤b中制备的InP纳米晶核产物溶液中,继续加入合成外部壳层所需要的前体物质,并调至230‑310℃的第三温度,形成具有壳层包覆的InPQDs。本发明制得绿光InPQDs并提高其光学性能,其峰位在520~535nm,PLQY大于70%。本发明通过卤素配体交换的方式,在绿光InPQDs合成后进行处理,从而提高了InPQDs的光学性能。
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公开(公告)号:CN114836217A
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202210204863.5
申请日:2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种黄光磷化铟量子点的制备方法,包括如下步骤:制备均匀的In前驱体溶液,并制备P前驱体溶液,备用;然后在20‑60℃的第一温度下,向In前驱体溶液中加入P前驱体溶液,并使混合溶液保持至少1h,形成InP纳米晶核,得到InP纳米晶核产物溶液;再降温到室温50℃下,向InP纳米晶核产物溶液中,继续加入合成外部壳层所需要的前体物质,并调至230‑310℃的第三温度,形成具有壳层包覆的InPQDs,从而得到黄光磷化铟量子点。本发明能简易制备保持高PLQY的黄光InPQDs,使其峰位移动到570nm,量子产率为68%。本发明通过改变溶剂种类的方式,能够实现在不改变其他反应条件的前提下而有效制成黄光InPQDs,并提高了InPQDs的光学性能。
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