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公开(公告)号：CN114315646A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111477960.3
申请日：2021-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: C07C257/12 , C09K11/06 , C09K11/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法，首先进行超声合成或热注入法预合成反应制备钙钛矿纳米晶，并制备短链胺溴化物前驱体，然后将钙钛矿纳米晶溶液与短链胺溴化物混合，使用短链胺溴化物对纳米晶进行刻蚀，从而获得小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶溶液，所述蓝光钙钛矿纳米晶颗粒尺寸不大于9.2nm。本发明引入极性较强的短链胺进一步刻蚀，刻蚀去除了钙钛矿纳米晶的表面的空位缺陷以及结晶性低的部分，减少了纳米晶表面缺陷。并且刻蚀使得纳米晶的尺寸降低，且小于波尔激子半径；最终合成了形貌均一、发光效率高，稳定性好的小尺寸蓝光钙钛矿纳晶。本发明制备的钙钛矿纳米晶光电材料能够实现稳定可调发光以及高的PL QY，可应LED器件领域。
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公开(公告)号：CN114784214B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210203960.2
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极，组成钙钛矿发光二极管的器件结构，取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液，转移到空穴传输层上，制备钙钛矿发光层。本发明利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9‑二(3'‑(N,N‑二甲氨基)丙基)‑2,7‑芴)‑2,7‑(9,9‑二辛基芴)]的溶剂，沉积平整致密、具有良好能级匹配的电子传输层，构筑高效率的全溶液钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号：CN115347136A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210204912.5
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法，将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中，制备混合溶液，在不低于60℃加热搅拌至少4h，得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液，过滤后氮气环境保存以备使用；然从下而上首先是采用基底，在所述基底上设有ITO阳极；在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极，得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯，TFA‑中的C＝O可以与晶界处未配位的Pb2+结合，抑制离子迁移，使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号：CN114315646B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111477960.3
申请日：2021-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: C07C257/12 , C09K11/06 , C09K11/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法，首先进行超声合成或热注入法预合成反应制备钙钛矿纳米晶，并制备短链胺溴化物前驱体，然后将钙钛矿纳米晶溶液与短链胺溴化物混合，使用短链胺溴化物对纳米晶进行刻蚀，从而获得小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶溶液，所述蓝光钙钛矿纳米晶颗粒尺寸不大于9.2nm。本发明引入极性较强的短链胺进一步刻蚀，刻蚀去除了钙钛矿纳米晶的表面的空位缺陷以及结晶性低的部分，减少了纳米晶表面缺陷。并且刻蚀使得纳米晶的尺寸降低，且小于波尔激子半径；最终合成了形貌均一、发光效率高，稳定性好的小尺寸蓝光钙钛矿纳晶。本发明制备的钙钛矿纳米晶光电材料能够实现稳定可调发光以及高的PL QY，可应LED器件领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115347136B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210204912.5
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法，将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中，制备混合溶液，在不低于60℃加热搅拌至少4h，得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液，过滤后氮气环境保存以备使用；然从下而上首先是采用基底，在所述基底上设有ITO阳极；在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极，得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯，TFA‑中的C＝O可以与晶界处未配位的Pb2+结合，抑制离子迁移，使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号：CN114864840B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210204873.9
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H10K50/844 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，包括如下步骤：制备钝化剂TMBBr、制备TMB2PbBr4溶液、合成CsPbBr3粉末、制备准二维蓝光钙钛矿PEAxPA2‑x(CsPbBr3)n‑1PbBr4:TMBBr前驱体溶液、制备三维混卤素钙钛矿发光二极管器件。本分引用双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺钠作为氧化镍(NiOx)的界面修饰层，通过在准二维钙钛矿前驱体溶液中引入4‑(三氟甲基)苯甲酰胺氢溴酸盐，使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号：CN114864840A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210204873.9
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，包括如下步骤：制备钝化剂TMBBr、制备TMB2PbBr4溶液、合成CsPbBr3粉末、制备准二维蓝光钙钛矿PEAxPA2‑x(CsPbBr3)n‑1PbBr4:TMBBr前驱体溶液、制备三维混卤素钙钛矿发光二极管器件。本分引用双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺钠作为氧化镍(NiOx)的界面修饰层，通过在准二维钙钛矿前驱体溶液中引入4‑(三氟甲基)苯甲酰胺氢溴酸盐，使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号：CN114824113A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210203744.8
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿‑有机杂化叠层发光二极管及其制备方法，从上而下依次设置负极、第一电子注入层、第一电子传输层、有机发光层、第一空穴传输层、电荷产生单元、第二电子传输层、钙钛矿发光层、第二空穴传输层、正极，所述的电荷产生单元具体为：空穴注入层、空穴产生层、电子产生层、第二电子注入层。本发明制备方法分别采用超声清洗法、溶液旋涂法、真空蒸镀法制备各功能层。本发明通过设计性能高效的电荷产生单元将钙钛矿发光二极管和有机发光二极管串联，利用叠层结构设计以综合两者的优势，改善有机LED的电致发光光谱宽化和钙钛矿LED寿命短的问题。
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公开(公告)号：CN114784214A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210203960.2
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极，组成钙钛矿发光二极管的器件结构，取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液，转移到空穴传输层上，制备钙钛矿发光层。本发明利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9‑二(3'‑(N,N‑二甲氨基)丙基)‑2,7‑芴)‑2,7‑(9,9‑二辛基芴)]的溶剂，沉积平整致密、具有良好能级匹配的电子传输层，构筑高效率的全溶液钙钛矿发光二极管。
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