一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法

    公开(公告)号:CN114784214B

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202210203960.2

    申请日:2022-03-03

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法,包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极,组成钙钛矿发光二极管的器件结构,取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液,转移到空穴传输层上,制备钙钛矿发光层。本发明利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9‑二(3'‑(N,N‑二甲氨基)丙基)‑2,7‑芴)‑2,7‑(9,9‑二辛基芴)]的溶剂,沉积平整致密、具有良好能级匹配的电子传输层,构筑高效率的全溶液钙钛矿发光二极管。

    一种多频天线架构
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111755839B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN201910242547.5

    申请日:2019-03-28

    Abstract: 本申请涉及一种多频天线架构,设置于无线通信装置的基体内,包括:位于所述基体内的左外侧和右外侧区域的典型为LTE的第一天线、位于所述基体内的上外侧和下外侧区域的典型为Sub‑6GHz MIMO的第二天线以及位于所述基体内的左内侧和右内侧区域的典型为毫米波的第三天线,述上述各区域相互间隔地布置,所述第一天线、第二天线以及第三天线工作于不同的频段,所述第三天线可实现宽频大角度波束扫描,进而有效地扩展毫米波天线的辐射性能,并改善和解决了在有限空间下不同频段天线信号之间的相互干扰。本发明公开的技术方案易于集成,辐射优良,隔离度好。

    一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法

    公开(公告)号:CN115347136A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210204912.5

    申请日:2022-03-03

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法,将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中,制备混合溶液,在不低于60℃加热搅拌至少4h,得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液,过滤后氮气环境保存以备使用;然从下而上首先是采用基底,在所述基底上设有ITO阳极;在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极,得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯,TFA‑中的C=O可以与晶界处未配位的Pb2+结合,抑制离子迁移,使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。

    一种多频天线架构
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111755839A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201910242547.5

    申请日:2019-03-28

    Abstract: 本申请涉及一种多频天线架构,设置于无线通信装置的基体内,包括:位于所述基体内的左外侧和右外侧区域的典型为LTE的第一天线、位于所述基体内的上外侧和下外侧区域的典型为Sub-6GHz MIMO的第二天线以及位于所述基体内的左内侧和右内侧区域的典型为毫米波的第三天线,述上述各区域相互间隔地布置,所述第一天线、第二天线以及第三天线工作于不同的频段,所述第三天线可实现宽频大角度波束扫描,进而有效地扩展毫米波天线的辐射性能,并改善和解决了在有限空间下不同频段天线信号之间的相互干扰。本发明公开的技术方案易于集成,辐射优良,隔离度好。

    一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法

    公开(公告)号:CN115347136B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202210204912.5

    申请日:2022-03-03

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法,将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中,制备混合溶液,在不低于60℃加热搅拌至少4h,得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液,过滤后氮气环境保存以备使用;然从下而上首先是采用基底,在所述基底上设有ITO阳极;在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极,得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯,TFA‑中的C=O可以与晶界处未配位的Pb2+结合,抑制离子迁移,使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。

    一种钙钛矿-有机杂化叠层发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN114824113A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210203744.8

    申请日:2022-03-03

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿‑有机杂化叠层发光二极管及其制备方法,从上而下依次设置负极、第一电子注入层、第一电子传输层、有机发光层、第一空穴传输层、电荷产生单元、第二电子传输层、钙钛矿发光层、第二空穴传输层、正极,所述的电荷产生单元具体为:空穴注入层、空穴产生层、电子产生层、第二电子注入层。本发明制备方法分别采用超声清洗法、溶液旋涂法、真空蒸镀法制备各功能层。本发明通过设计性能高效的电荷产生单元将钙钛矿发光二极管和有机发光二极管串联,利用叠层结构设计以综合两者的优势,改善有机LED的电致发光光谱宽化和钙钛矿LED寿命短的问题。

    一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法

    公开(公告)号:CN114784214A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210203960.2

    申请日:2022-03-03

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法,包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极,组成钙钛矿发光二极管的器件结构,取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液,转移到空穴传输层上,制备钙钛矿发光层。本发明利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9‑二(3'‑(N,N‑二甲氨基)丙基)‑2,7‑芴)‑2,7‑(9,9‑二辛基芴)]的溶剂,沉积平整致密、具有良好能级匹配的电子传输层,构筑高效率的全溶液钙钛矿发光二极管。

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