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公开(公告)号：CN110350107A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910635001.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于有机电致发光器件技术领域，具体涉及一种可转移柔性电极及其制备方法和应用。本发明提供了一种可转移柔性电极的制备方法，包括以下步骤：(1)在基板上依次涂覆光刻胶、涂覆PDMS层和层叠薄片石墨，得到初级电极；(2)去掉所述步骤(1)初级电极的光刻胶，使基板脱落，对剩余的PDMS层和薄片石墨进行退火处理，得到可转移柔性电极。本发明解决了传统柔性电极材料需固定在基板上而不可转移的难题，实现了柔性电极材料和基板分离的技术效果，丰富了柔性电极的使用方案。实验表明，本发明所述可转移柔性电极具有优异的机械弯折性能、空气稳定性和散热性能。
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公开(公告)号：CN111146351B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010001249.X
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有介电层/量子点/介电层结构的发光场效应晶体管及其制备方法，从下而上依次设置栅极、绝缘层、电子传输层、第一介电层、量子点发光层、第二介电层、空穴传输层、源/漏极，第一介电层修饰电子传输层和量子点发光层的界面，第二介电层修饰量子点发光层与空穴传输层界面。通过介电层修饰量子点发光层与空穴传输层的界面，不仅减少空穴传输层与发光层间的空穴注入势垒，并且减少发光层的针孔，改善空穴的注入效率，降低非辐射复合，显著提高了发光场效应晶体管的发光效率。本发明还使用介电层修饰电子传输层与量子点发光层的界面，可以降低电子传输层内部的陷阱密度，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN111146351A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010001249.X
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有介电层/量子点/介电层结构的发光场效应晶体管及其制备方法，从下而上依次设置栅极、绝缘层、电子传输层、第一介电层、量子点发光层、第二介电层、空穴传输层、源/漏极，第一介电层修饰电子传输层和量子点发光层的界面，第二介电层修饰量子点发光层与空穴传输层界面。通过介电层修饰量子点发光层与空穴传输层的界面，不仅减少空穴传输层与发光层间的空穴注入势垒，并且减少发光层的针孔，改善空穴的注入效率，降低非辐射复合，显著提高了发光场效应晶体管的发光效率。本发明还使用介电层修饰电子传输层与量子点发光层的界面，可以降低电子传输层内部的陷阱密度，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN109950424A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910342805.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明提供了一种OLED薄膜封装层及其制备方法，属于OLED薄膜封装技术领域。本发明提供的OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层；从化学组成上，所述有机物层包括三(8-羟基喹啉)铝、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述金属氧化物层包括MoO2和MoO3的混合物或者WO2和WO3的混合物；所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。本发明提供的金属氧化物层通过吸收渗入到OLED器件中的水氧，达到了防护作用，从而大幅度延长了OLED器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110350107B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910635001.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于有机电致发光器件技术领域，具体涉及一种可转移柔性电极及其制备方法和应用。本发明提供了一种可转移柔性电极的制备方法，包括以下步骤：(1)在基板上依次涂覆光刻胶、涂覆PDMS层和层叠薄片石墨，得到初级电极；(2)去掉所述步骤(1)初级电极的光刻胶，使基板脱落，对剩余的PDMS层和薄片石墨进行退火处理，得到可转移柔性电极。本发明解决了传统柔性电极材料需固定在基板上而不可转移的难题，实现了柔性电极材料和基板分离的技术效果，丰富了柔性电极的使用方案。实验表明，本发明所述可转移柔性电极具有优异的机械弯折性能、空气稳定性和散热性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109950424B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910342805.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明提供了一种OLED薄膜封装层及其制备方法，属于OLED薄膜封装技术领域。本发明提供的OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层；从化学组成上，所述有机物层包括三(8‑羟基喹啉)铝、N,N’‑二苯基‑N,N’‑二(1‑萘基)‑1,1’‑联苯‑4,4’‑二胺或1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯；所述金属氧化物层包括MoO2和MoO3的混合物或者WO2和WO3的混合物；所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。本发明提供的金属氧化物层通过吸收渗入到OLED器件中的水氧，达到了防护作用，从而大幅度延长了OLED器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108977796B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810800442.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置及方法，该方法包括：控制第三电磁阀导通，控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭；控制第一电磁阀关闭第二预设时长后导通；控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭；控制第一电磁阀关闭第二预设时长后，导通第二电磁阀；控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭；控制第二电磁阀关闭第二预设时长后导通；控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭，从而完成一层氧化物的制备，循环多次一层氧化物的制备过程得到氧化物薄膜。本发明的沉积氧化物薄膜的方法，通过将第一先驱物连续通入沉积氧化物薄膜的装置两次，并采用氮气吹扫后，再连续通入两次第二先驱物，降低了沉积的氧化物薄膜的针孔率。
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公开(公告)号：CN108977796A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810800442.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置及方法，该方法包括：控制第三电磁阀导通，控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭；控制第一电磁阀关闭第二预设时长后导通；控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭；控制第一电磁阀关闭第二预设时长后，导通第二电磁阀；控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭；控制第二电磁阀关闭第二预设时长后导通；控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭，从而完成一层氧化物的制备，循环多次一层氧化物的制备过程得到氧化物薄膜。本发明的沉积氧化物薄膜的方法，通过将第一先驱物连续通入沉积氧化物薄膜的装置两次，并采用氮气吹扫后，再连续通入两次第二先驱物，降低了沉积的氧化物薄膜的针孔率。
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公开(公告)号：CN120026306A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510394564.6
申请日：2025-03-31
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种改进原子层沉积技术中铟镓氧化物薄膜界面质量的方法，通过优化初始循环的前驱体比例，显著提升IGO薄膜晶体管迁移率。传统实验IGO沉积采用固定循环比(如In:Ga＝3:1)，存在界面缺陷多、载流子迁移率低的问题。本发明提出在首个ALD循环中将前驱体比例调整为13:1(如In:Ga＝13:1)，通过增强初始成核阶段的均匀性，减少界面缺陷，同时维持后续循环的常规比例(3:1)。与现有技术相比，本发明制备的IGO薄膜粗糙度降低22％，晶体管迁移率提升约56.7％，且工艺兼容性强，无需额外设备投入，适用于高性能半导体器件制造。
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公开(公告)号：CN117740149A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311591679.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种室外多角度偏振光谱特征检测装置及方法，装置以室外多角度测量架搭载偏振模块、相机模块、通信及数据处理模块，相机通过云台安装于室外多角度测量架上；偏振模块由线偏振片和旋转电机组成，旋转电机控制线偏振片并与相机连接；相机通过数据信息线缆与数据采集卡相连，实现同工控机间通信；本发明实现相机在半径2m的半球球面上灵活运动，并在任意一个角度实现相机的固定。结合偏振技术，得出最佳观测方位，结合光谱成像技术，实现在最佳观测方位上对被测目标的连续光谱偏振特征提取，使得该波段下，伪装目标同周边环境偏振特征值达到最大。本发明可实现对特定目标的最佳观测方位和敏感波段测量。
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