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公开(公告)号：CN118754815A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410520383.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海大学
IPC: C07C211/27 , C07C209/68 , C07D333/20 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K50/11
Abstract: 本发明涉及发光材料，具体涉及一种红光钙钛矿发光材料、制备方法及发光二极管器件。红光钙钛矿发光材料包括碘基钙钛矿，所述碘基钙钛矿包括至少两元间隔阳离子，所述碘基钙钛矿包括结构式为NMAxPPAyCswPbmIi的化合物，其中，0.08
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公开(公告)号：CN110305660A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910514175.7
申请日：2019-06-14
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/06
Abstract: 一种基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法。该方法将甲磺酸(MeS)阴离子引入L2An-1MnX3n+1钙钛矿前体来调节相组成的方法，从而产生更有效的能量传递路径。同时，MeS阴离子实现晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜的激子寿命明显提高，三维钙钛矿晶粒得到明显的增多。通过在准二维金属卤化物钙钛矿前驱液中加入CsMeS来调节钙钛矿相组成，使得三维钙钛矿晶粒数目较传统方法更多的生成，从而产生更有效的能量传递路径。本发明方法使用的CsMeS没有掺入钙钛矿晶格，而是仅仅存在于钙钛矿晶格表面，CsMeS这种材料含有MeS阴离子可以实现准二维钙钛矿晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。
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公开(公告)号：CN111146351B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010001249.X
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有介电层/量子点/介电层结构的发光场效应晶体管及其制备方法，从下而上依次设置栅极、绝缘层、电子传输层、第一介电层、量子点发光层、第二介电层、空穴传输层、源/漏极，第一介电层修饰电子传输层和量子点发光层的界面，第二介电层修饰量子点发光层与空穴传输层界面。通过介电层修饰量子点发光层与空穴传输层的界面，不仅减少空穴传输层与发光层间的空穴注入势垒，并且减少发光层的针孔，改善空穴的注入效率，降低非辐射复合，显著提高了发光场效应晶体管的发光效率。本发明还使用介电层修饰电子传输层与量子点发光层的界面，可以降低电子传输层内部的陷阱密度，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN111146351A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010001249.X
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有介电层/量子点/介电层结构的发光场效应晶体管及其制备方法，从下而上依次设置栅极、绝缘层、电子传输层、第一介电层、量子点发光层、第二介电层、空穴传输层、源/漏极，第一介电层修饰电子传输层和量子点发光层的界面，第二介电层修饰量子点发光层与空穴传输层界面。通过介电层修饰量子点发光层与空穴传输层的界面，不仅减少空穴传输层与发光层间的空穴注入势垒，并且减少发光层的针孔，改善空穴的注入效率，降低非辐射复合，显著提高了发光场效应晶体管的发光效率。本发明还使用介电层修饰电子传输层与量子点发光层的界面，可以降低电子传输层内部的陷阱密度，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN110752322A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910968157.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法，利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)界面修饰的空穴传输层制备高质量的钙钛矿薄膜。本发明PVP界面修饰层得以引入空穴传输层与钙钛矿薄膜之间，从而制备光滑平整、高荧光产率的钙钛矿薄膜。相比无PVP修饰的传统方法制备的钙钛矿薄膜，经PVP界面修饰的薄膜表面粗糙度下降且荧光产率增强。本发明通过PVP对HTL进行界面修饰，PVP中的吡咯烷酮部分具有良好的亲水性，因此使得钙钛矿前驱体对HTL的润湿性大大提高，提高钙钛矿的成核位点，可制备光滑平整的钙钛矿薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119823754A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510009467.0
申请日：2025-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于光电技术领域，涉及一种蓝光钙钛矿纳米棒材料、发光二极管及制备方法。发光二极管包括将三水醋酸铅、醋酸甲脒、油胺溴、油酸作为合成原料，按照设定比例将材料与反应溶剂进行混合得到反应物溶液体系；在常温下，利用细胞破碎仪将反应物溶液体系进行超声合成得到FAPbBr3纳米棒原溶液，将所得原溶液经过离心提纯后，可获得FAPbBr3纳米棒，通过引入4‑三氟甲基苯‑1‑甲脒盐酸盐钝化钙钛矿纳米棒表面缺陷并且改善其导电性，将其制作为发光层，减少了发光层缺陷态密度及非辐射复合中心，光谱稳定性增强，由此显著提升器件的亮度及外量子效率。
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公开(公告)号：CN116406209A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310320093.5
申请日：2023-03-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于发光二极管器件技术领域，特别涉及一种绿光钙钛矿发光层、钙钛矿发光二极管及制备方法，绿光钙钛矿发光层材料的制备方法包括：以溴化苯乙基铵、溴化铅、溴化铯为前驱体，加入溶剂中，形成前驱体溶液；并加入氯苯氨丁酸，反应，获得准二维绿光钙钛矿PEA2Csn‑1PbnBr3n+1，其中，n为正整数。通过在PEA2Csn‑1PbnBr3n+1钙钛矿前驱体溶液中引入BAC，得所形成的钙钛矿发光二极管器件具有优异的最大外量子效率和良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN110305660B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910514175.7
申请日：2019-06-14
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/06
Abstract: 一种基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法。该方法将甲磺酸(MeS)阴离子引入L2An‑1MnX3n+1钙钛矿前体来调节相组成的方法，从而产生更有效的能量传递路径。同时，MeS阴离子实现晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜的激子寿命明显提高，三维钙钛矿晶粒得到明显的增多。通过在准二维金属卤化物钙钛矿前驱液中加入CsMeS来调节钙钛矿相组成，使得三维钙钛矿晶粒数目较传统方法更多的生成，从而产生更有效的能量传递路径。本发明方法使用的CsMeS没有掺入钙钛矿晶格，而是仅仅存在于钙钛矿晶格表面，CsMeS这种材料含有MeS阴离子可以实现准二维钙钛矿晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。
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公开(公告)号：CN110054214A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910202479.X
申请日：2019-03-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，首先制备CsPbX3钙钛矿前驱体溶液，然后采用旋涂工艺，将CsPbX3钙钛矿前驱体溶液设置于衬底上并固化退火成膜。在紫外灯的照射下，CsPbX3钙钛矿薄膜会根据卤素X的不同而呈现不同的颜色。本发明摒弃了传统用于制备CsPbX3钙钛矿薄膜的铯源溴化铯(CsBr)，采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源，制备的钙钛矿薄膜成本明显减少，采用本发明制备的CsPbX3薄膜相比于传统方法制备的CsPbX3薄膜稳定性得到明显提高，钙钛矿粒径得到明显的减小，制备工艺更加环保和绿色健康。
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公开(公告)号：CN114784214B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210203960.2
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极，组成钙钛矿发光二极管的器件结构，取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液，转移到空穴传输层上，制备钙钛矿发光层。本发明利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9‑二(3'‑(N,N‑二甲氨基)丙基)‑2,7‑芴)‑2,7‑(9,9‑二辛基芴)]的溶剂，沉积平整致密、具有良好能级匹配的电子传输层，构筑高效率的全溶液钙钛矿发光二极管。
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