一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法

    公开(公告)号:CN114315646A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111477960.3

    申请日:2021-12-06

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法,首先进行超声合成或热注入法预合成反应制备钙钛矿纳米晶,并制备短链胺溴化物前驱体,然后将钙钛矿纳米晶溶液与短链胺溴化物混合,使用短链胺溴化物对纳米晶进行刻蚀,从而获得小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶溶液,所述蓝光钙钛矿纳米晶颗粒尺寸不大于9.2nm。本发明引入极性较强的短链胺进一步刻蚀,刻蚀去除了钙钛矿纳米晶的表面的空位缺陷以及结晶性低的部分,减少了纳米晶表面缺陷。并且刻蚀使得纳米晶的尺寸降低,且小于波尔激子半径;最终合成了形貌均一、发光效率高,稳定性好的小尺寸蓝光钙钛矿纳晶。本发明制备的钙钛矿纳米晶光电材料能够实现稳定可调发光以及高的PL QY,可应LED器件领域。

    一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法

    公开(公告)号:CN114315646B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202111477960.3

    申请日:2021-12-06

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶制备方法,首先进行超声合成或热注入法预合成反应制备钙钛矿纳米晶,并制备短链胺溴化物前驱体,然后将钙钛矿纳米晶溶液与短链胺溴化物混合,使用短链胺溴化物对纳米晶进行刻蚀,从而获得小尺寸蓝光钙钛矿纳米晶溶液,所述蓝光钙钛矿纳米晶颗粒尺寸不大于9.2nm。本发明引入极性较强的短链胺进一步刻蚀,刻蚀去除了钙钛矿纳米晶的表面的空位缺陷以及结晶性低的部分,减少了纳米晶表面缺陷。并且刻蚀使得纳米晶的尺寸降低,且小于波尔激子半径;最终合成了形貌均一、发光效率高,稳定性好的小尺寸蓝光钙钛矿纳晶。本发明制备的钙钛矿纳米晶光电材料能够实现稳定可调发光以及高的PL QY,可应LED器件领域。

    钙钛矿纳米棒的合成方法

    公开(公告)号:CN111171814A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010016248.2

    申请日:2020-01-08

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米棒的合成方法,首先制备钙钛矿纳米立方体和In-OAm前驱体,然后合成APbX3钙钛矿纳米棒原溶液,再向APbX3纳米棒原溶液中加入乙酸酯,进行离心处理;然后沉淀物质中加入溶剂,使沉淀物质溶解形成APbX3钙钛矿分散液,再进行离心,去除沉淀,最终获得APbX3纳米棒溶液。本发明采用新的合成策略,依靠中间体分解再结晶过程降低反应速率,允许足够的时间用于钙钛矿的结晶和生长;同时引入了珊瑚型三(二乙氨基)膦配体,诱导了纳米棒的取向性生长;作为表面配体提供更致密的有机配体层,与表面结合力更强,提高了纳米晶稳定性,最终合成了形貌尺寸均一、发光效率高,稳定性好的钙钛矿纳米棒。

    一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法

    公开(公告)号:CN115347136A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210204912.5

    申请日:2022-03-03

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法,将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中,制备混合溶液,在不低于60℃加热搅拌至少4h,得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液,过滤后氮气环境保存以备使用;然从下而上首先是采用基底,在所述基底上设有ITO阳极;在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极,得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯,TFA‑中的C=O可以与晶界处未配位的Pb2+结合,抑制离子迁移,使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。

    疏水性钙钛矿-聚合物复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113444514A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110669930.6

    申请日:2021-06-17

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种疏水性钙钛矿‑聚合物复合材料及其制备方法,在钙钛矿纳米晶表面形成排列紧密的具有粗糙表面的微纳结构,将钙钛矿纳米晶进行包封,使聚合物复合材料形成疏水的外部包封层。本发明采用纯化后的钙钛矿纳米晶制备均匀分散的钙钛矿纳米晶(PNCs)溶液;将均匀分散的钙钛矿纳米晶溶液、八乙烯基‑POSS(OVS)和α‑氰基丙烯酸酯(ECA)混合搅拌,获得均匀的混合溶液;取混合溶液中上清液,得到钙钛矿复合材料(PNCs‑PECA‑OVS)。本发明通过材料的结构设计形成了一种具有低表面能和粗糙表面的微纳结构,该结构最大程度减少表面与水之间的接触,成功的实现了钙钛矿复合材料的超疏水、高稳定性能,能广泛应用于水下照明,显示以及生物领域,满足工业化需求。

    一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法

    公开(公告)号:CN115347136B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202210204912.5

    申请日:2022-03-03

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法,将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中,制备混合溶液,在不低于60℃加热搅拌至少4h,得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液,过滤后氮气环境保存以备使用;然从下而上首先是采用基底,在所述基底上设有ITO阳极;在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极,得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯,TFA‑中的C=O可以与晶界处未配位的Pb2+结合,抑制离子迁移,使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。

    疏水性钙钛矿-聚合物复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113444514B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202110669930.6

    申请日:2021-06-17

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种疏水性钙钛矿‑聚合物复合材料及其制备方法,在钙钛矿纳米晶表面形成排列紧密的具有粗糙表面的微纳结构,将钙钛矿纳米晶进行包封,使聚合物复合材料形成疏水的外部包封层。本发明采用纯化后的钙钛矿纳米晶制备均匀分散的钙钛矿纳米晶(PNCs)溶液;将均匀分散的钙钛矿纳米晶溶液、八乙烯基‑POSS(OVS)和α‑氰基丙烯酸酯(ECA)混合搅拌,获得均匀的混合溶液;取混合溶液中上清液,得到钙钛矿复合材料(PNCs‑PECA‑OVS)。本发明通过材料的结构设计形成了一种具有低表面能和粗糙表面的微纳结构,该结构最大程度减少表面与水之间的接触,成功的实现了钙钛矿复合材料的超疏水、高稳定性能,能广泛应用于水下照明,显示以及生物领域,满足工业化需求。

    钙钛矿纳米棒的合成方法

    公开(公告)号:CN111171814B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202010016248.2

    申请日:2020-01-08

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米棒的合成方法,首先制备钙钛矿纳米立方体和In‑OAm前驱体,然后合成APbX3钙钛矿纳米棒原溶液,再向APbX3纳米棒原溶液中加入乙酸酯,进行离心处理;然后沉淀物质中加入溶剂,使沉淀物质溶解形成APbX3钙钛矿分散液,再进行离心,去除沉淀,最终获得APbX3纳米棒溶液。本发明采用新的合成策略,依靠中间体分解再结晶过程降低反应速率,允许足够的时间用于钙钛矿的结晶和生长;同时引入了珊瑚型三(二乙氨基)膦配体,诱导了纳米棒的取向性生长;作为表面配体提供更致密的有机配体层,与表面结合力更强,提高了纳米晶稳定性,最终合成了形貌尺寸均一、发光效率高,稳定性好的钙钛矿纳米棒。

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