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公开(公告)号:CN113658852A
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202110853195.4
申请日:2021-07-27
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/032 , C23C14/02 , C23C14/08 , C23C14/16 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/54 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备方法,所述硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备工艺是:首先在单晶Si(100)衬底上沉积不同厚度的金(Au)催化层,并对催化层进行原位球化退火,得到不同尺寸的Au纳米颗粒,然后进行磁控溅射生长β‑Ga2O3纳米线并原位退火,得到不同尺寸的β‑Ga2O3纳米线。本发明通过调控β‑Ga2O3纳米线的尺寸可得到具有缺陷少、电阻率高、均匀致密等优点的β‑Ga2O3纳米线。本发明制备的不同的尺寸的β‑Ga2O3纳米线在日盲紫外探测器应用中表现出优异的性能,在军事领域可应用于导弹逼近预警系统、紫外通信、紫外成像导航等,在民用领域的汽车尾气检测、火焰检测、指纹检测等方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN119947271A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202411911435.1
申请日:2024-12-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种全透明氧化镍/氧化镓PN结型日盲紫外探测器及其制备方法与应用,所述日盲紫外探测器自下而上依次包括柔性衬底、底电极层、NiO薄膜层、Ga2O3薄膜层、上电极层,所述底电极层、NiO薄膜层、Ga2O3薄膜层、上电极层呈阶梯状设置,所述柔性衬底包括PET柔性衬底,所述的底电极层和上电极层均为BGZO电极层。本发明采用磁控溅射法,在透明衬底上生长电极,并选择适当的溅射功率,实现高性能全透明氧化镍与氧化镓薄膜的制备。与现有技术相比,本发明得到的日盲紫外探测器具有自供电、全透明、柔性性能,具有便携可穿戴的特点,能够更好地应用在紫外探测等领域。
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