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公开(公告)号：CN112786094B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201911089184.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种对存储装置执行操作的方法，其包括确定待施加于操作单元的初始操作电压和可施加于操作单元的最大操作电压；将初始操作电压至最大操作电压的操作区段分为M个子操作区段，操作电压适于基于子操作区段以预定增量从初始操作电压逐段增大，操作电压在相邻的子操作区段具有不同的预定增量和不同的脉冲宽度，M为大于1的自然数；对操作单元施加初始操作电压以执行操作；对操作执行校验；判断校验是否成功，如果为否，则基于子操作区段逐段增大操作电压、对操作单元施加增大的操作电压以执行操作、对操作执行校验，直至校验成功。本申请实施例优化了操作对高压的控制，缩短了操作时间，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN111864691B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910362303.0
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种接地故障保护电路，包括：主控芯片、断路保护单元和自检测单元，其中；所述断路保护单元与所述自检测单元连接于检测点，与负载电路连接；所述自检测单元与所述主控芯片连接，用于检测所述检测点上的电平信号，并将所述电平信号输出至所述主控芯片；所述主控芯片与所述自检测单元连接，包括但不限于在检测状态下模拟断路器故障，发出自检测信号，并根据所述自检测单元输出的电平信号判断所述接地故障保护电路的自检测功能是否正常。采用上述方案，可以检测自检测单元的功能是否完好。
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公开(公告)号：CN112241384A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910654694.3
申请日：2019-07-19
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本发明的一种通用的高速串行差分信号分路电路及方法，包含RX端和多个TX端，RX端的CDR电路包含第一PI模块；至少一个TX端设有与第一PI模块相同的第二PI模块；CDR电路跟踪外部信号频率信息并产生与锁相环输出时钟信号有频差的第一采样时钟且输出相位调整信息；相位调整信息直接反馈给第二PI模块，由锁相环输出时钟信号经第二PI模块而产生的第二时钟跟随第一采样时钟变化，第二时钟经过分频器分频后得到读时钟并传递给缓冲器；第一采样时钟经过串转并模块得到写时钟和写数据并传递给缓冲器；缓冲器输出读数据并经过并转串模块后得到串行数据发送出去。本发明的PCS部分仅有一个缓冲器，少了十几个并行时钟周期时延，时延低；电路结构设计简单；通用性好。
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公开(公告)号：CN111864694A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910362227.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: H02H3/32
Abstract: 一种剩余电流保护电路，包括：互感器、保护开关、剩余电流保护控制单元、剩余电流模拟单元和自检测单元，所述自检测单元与所述保护开关所在线路连接；在自检测状态下，所述自检测单元用于控制所述剩余电流模拟单元产生模拟剩余电流，检测所述保护开关所在线路上的电平变化，切断剩余电流保护控制单元与保护开关的连接，或者控制剩余电流保护控制单元在经过保护时间后再控制保护开关所在线路导通。采用上述方案，避免剩余电流结束时产生的电动势导致剩余电流保护电路误动作。
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公开(公告)号：CN111864691A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910362303.0
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种接地故障保护电路，包括：主控芯片、断路保护单元和自检测单元，其中；所述断路保护单元与所述自检测单元连接于检测点，与负载电路连接；所述自检测单元与所述主控芯片连接，用于检测所述检测点上的电平信号，并将所述电平信号输出至所述主控芯片；所述主控芯片与所述自检测单元连接，包括但不限于在检测状态下模拟断路器故障，发出自检测信号，并根据所述自检测单元输出的电平信号判断所述接地故障保护电路的自检测功能是否正常。采用上述方案，可以检测自检测单元的功能是否完好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106328654B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201510397765.8
申请日：2015-07-08
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: H01L27/1157
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括，在半导体衬底的鳍部上方形成有且呈堆叠结构的多层沟道结构，沟道结构包括沟道绝缘层和位于沟道绝缘层上的沟道层；在多层沟道结构上方形成有横跨多层沟道结构的多个漏极结构，多个漏极结构与多层沟道层一一对应，且一个漏极结构覆盖一个沟道层的侧壁。半导体器件的结构应用在NAND存储器中，多层沟道结构中一层沟道层用于形成一个存储器单元，具有呈层叠的沟道层结构可在相同的工艺尺寸条件下增加NAND存储器的密度，从而提高半导体器件持续数据密度提升能力，进而解决现有工艺中，为了增加NAND存储器密度而减小器件尺寸，而导致相邻NAND存储器之间性能互相干扰的问题。
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公开(公告)号：CN106158825B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201510206920.3
申请日：2015-04-27
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: H01L23/525
Abstract: 一种芯片，包括寄存器，所述芯片还包括：多晶硅层以及依次叠置的至少两层金属层，所述多晶硅层和与其相邻的金属层耦接；所述多晶硅层以及金属层中均存在预设开关区域，所述预设开关区域包括：适于接收电平信号输入的开关金属走线；适于将所在层的开关金属走线与相邻层的开关金属走线耦接的开关通孔；适于将所在层中的开关金属走线与开关通孔耦接的开关；叠置在最上层的金属层的开关金属走线与预设的寄存器耦接。采用所述芯片，可以简化芯片标识符修改流程。
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公开(公告)号：CN108134601A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201611089214.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 接口电路，所述接口电路包括输入电路；所述输入电路包括钳位电路单元、输入缓冲单元、分别与所述钳位电路单元及所述输入缓冲单元耦接的第一输出驱动单元；所述钳位电路单元，适于在确定所述接口电路的端口电源电压大于预设的辅助电源电压时，将所述第一输出驱动单元的端口电压钳位在对应的器件耐压范围内。上述的方案，可以提高接口电路中的输入电路的输入电压范围。
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公开(公告)号：CN107885181A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610876613.0
申请日：2016-09-30
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G05B23/02
CPC classification number: G05B23/0256
Abstract: 一种现场可编程门阵列芯片中DSP单元的测试系统。所述系统包括：时钟管理器、第一存储器、待测DSP单元、第二存储器、第三存储器以及测试单元，向所述第二存储器写入数据的时钟频率与所述第一存储器及待测DSP单元的工作频率相同，从所述第二存储器中读取数据的时钟频率与所述第三存储器以及测试单元的工作频率相同；其中：所述时钟管理器，适于提供第一时钟频率以及第二时钟频率，所述第一时钟频率大于所述第二时钟频率；所述待测DSP单元，适于以所述第一时钟频率，从所述第一存储器中获取所述激励数据，并对所述激励数据执行预设的运算操作，以及将运算结果数据输出至所述第二存储器。应用上述系统，可以提高高频下测试DSP单元功能的准确性。
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公开(公告)号：CN105635700B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410682249.5
申请日：2014-11-24
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种CFA图像颜色处理方法及装置，所述方法包括：计算选取的第一颜色RGB像素点上第二颜色的水平梯度值以及垂直梯度值；根据所述第一颜色RGB像素点对角线上相邻的四个第三颜色RGB像素点的第三颜色像素值和第二颜色像素值，计算水平方向色差差异值和垂直方向色差差异值；将所述水平方向及垂直方向的色差差异值分别与所述水平梯度值及垂直梯度值相加，得到修正后的水平梯度值和垂直梯度值；比较修正后的水平梯度值与修正后的垂直梯度值，根据二者的大小关系，得到所述第一颜色RGB像素点上第二颜色的边缘方向，将所述边缘方向的第二颜色像素值作为所述第一颜色RGB像素点的第二颜色像素值。采用所述方法及装置，可以有效地在图像纹路密集处抑制伪彩色误差。
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