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公开(公告)号:CN1238560A
公开(公告)日:1999-12-15
申请号:CN99102540.7
申请日:1999-02-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/556 , H01L23/552 , H01L2924/0002 , H01L2924/1627 , Y10S257/913 , H01L2924/00
Abstract: 为了抑制因热中子引起的软错误,在容纳半导体芯片(2)的模塑封装体(4)的表面上粘贴含有氮化硼的片(6)。
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公开(公告)号:CN1061784C
公开(公告)日:2001-02-07
申请号:CN96108109.0
申请日:1996-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L24/29 , H01L2224/27013 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/83101 , H01L2224/83385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/15151 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种几乎不产生封装破裂且制造成本低廉的树脂密封型半导体器件。在引线框架的岛状体载置半导体元件的部分上形成多个通孔,用树脂制的薄膜材料把上述半导体元件粘接在上述岛状体上。另外,使上述薄膜材料各边尺寸至少比上述半导体元件各边尺寸短0.5mm以上。还有,形成上述多个通孔使之相互靠近,其相互间隔至少小于1.0mm。进而,在本发明中,上述薄膜材料的弹性率在200℃的温度下小于10MPa。
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公开(公告)号:CN1149766A
公开(公告)日:1997-05-14
申请号:CN96108109.0
申请日:1996-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L24/29 , H01L2224/27013 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/83101 , H01L2224/83385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/15151 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种几乎不产生封装破裂且制造成本低廉的树脂密封型半导体器件。在引线框架的岛状体载置半导体元件的部分上形成多个通孔,用树脂制的薄膜材料把上述半导体元件粘接在上述岛状体上。另外,使上述薄膜材料各边尺寸至少比上述半导体元件各边尺寸短0.5mm以上。还有,形成上述多个通孔使之相互靠近,其相互间隔至少小于1.0mm。进而,在本发明中,上述薄膜材料的弹性率在200℃的温度下小于10MPa。
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