公开(公告)号：CN1238560A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN99102540.7

申请日：1999-02-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 栗山祐忠 ,  塘一仁 ,  秋山龙彦 ,  有田丰 ,  岸本忠史

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/556 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1627 ,  Y10S257/913 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了抑制因热中子引起的软错误，在容纳半导体芯片(2)的模塑封装体(4)的表面上粘贴含有氮化硼的片(6)。

公开(公告)号：CN1184317A

公开(公告)日：1998-06-10

申请号：CN97115484.8

申请日：1997-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 和田知久 ,  有田丰

IPC: G11C11/41

CPC classification number: H01L27/1112 ,  G11C11/412

Abstract: 提供一种在低电源电压下可以进行高速并且低功耗的读出工作从而可以缩小存储单元面积的静态型半导体存储器。在列方向相邻的存储单元MC1和MC2共用驱动对应的位线的电位电平的双极型晶体管Q7。另一方面,在列方向相邻的MC2和MC3共用驱动对应的位线/BL的电位电平的双极型晶体管Q8。双极型晶体管根据所选择的存储单元的存储信息驱动对应的位线的电位电平,所以,在低电源电压下也可进行高速的数据读出。