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公开(公告)号：CN113474870A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201980092814.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本申请的发明涉及的半导体装置具有：半导体基板；第一电极，其设置于半导体基板之上；绝缘层，其具有在第一电极的上表面设置的第一部分；第二电极，其具有在第一电极的上表面设置的主要部分和与主要部分相连且攀上至第一部分之上的檐部；以及焊料，其将第二电极中的主要部分的上表面和与主要部分的上表面相连的檐部的上表面的一部分覆盖，绝缘层具有将檐部的上表面中的与被焊料覆盖的部分相比更靠檐部的端部侧的部分覆盖的第二部分和将第一部分与第二部分连接且将檐部的端部覆盖的第三部分。
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公开(公告)号：CN1354510A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01123243.9
申请日：2001-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/15
CPC classification number: H05K3/0061 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B2237/86 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/13091 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19107 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/341 , H05K2201/2036 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2075 , H01L2924/2076 , H01L2924/20754
Abstract: 在Cu合金形成的金属基板1上,装载半导体元件衬底2。半导体元件衬底2配有例如陶瓷形成的绝缘衬底3,而且在其上面和下面配有均为Al合金制的电路图形4和下面图形5。下面图形5被配置在整个绝缘衬底3上,通过图形层8被连接在金属基板1上。将金属基板1和绝缘衬底3的厚度例如分别设定为3.5～5.5mm和0.5～1mm,将电路图形4的厚度设定为0.4～0.6mm,将下面图形5和图形层8C的厚度分别设定为0.2mm以下和100～300μm。
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公开(公告)号：CN111418058B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201780097239.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H10D80/20 , H05K7/20
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制尺寸公差的影响的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：多个冷却板(1)，它们各自在内部具有冷媒通路(11)；间隔件(5)，其使各冷却板(1)分离地层叠；半导体封装件(2)，其设置于至少1个冷却板(1)的至少1个主面之上；以及弹簧板(4)，其设置于相邻的冷却板(1)之间，将半导体封装件(2)向冷却板(1)侧预紧。
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公开(公告)号：CN110476235B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201780088769.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够抑制工时的增加，且缓和在半导体元件的电极处的引线框的接合部的周缘部产生的应力的技术。半导体装置(30)具备：半导体元件(3)，其搭载于散热器(1)之上；引线框(6)，其经由作为接合材料的焊料(2b)而与半导体元件(3)的发射极电极(3a)接合；金属膜化膜(5)，其形成于金属膜(4)的表面。金属膜(4)的周缘部在整周均从防氧化膜(5)露出。(4)，其形成于发射极电极(3a)的表面；以及防氧
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公开(公告)号：CN113474870B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201980092814.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本申请的发明涉及的半导体装置具有：半导体基板；第一电极，其设置于半导体基板之上；绝缘层，其具有在第一电极的上表面设置的第一部分；第二电极，其具有在第一电极的上表面设置的主要部分和与主要部分相连且攀上至第一部分之上的檐部；以及焊料，其将第二电极中的主要部分的上表面和与主要部分的上表面相连的檐部的上表面的一部分覆盖，绝缘层具有将檐部的上表面中的与被焊料覆盖的部分相比更靠檐部的端部侧的部分覆盖的第二部分和将第一部分与第二部分连接且将檐部的端部覆盖的第三部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112335025B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201880095124.9
申请日：2018-06-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于半导体装置的寿命的均一化。半导体装置(101)具有：半导体元件(1)，其具有正面金属(11)；引线框(2)，其具有第1部分(21)；接合层(5)，其具有第1层(51)以及第2层(52)；以及焊料(31)，其比接合层厚。正面金属、第1部分分别以第1金属、第2金属为材料。第1层、第2层分别是第1金属与锡的合金、第2金属与锡的合金。接合层位于第1部分与正面金属之间。第1层、第2层分别位于正面金属侧、第1部分侧。在第1部分，多个孔避开正面金属的外轮廓而贯通。焊料位于多个孔的内部，与接合层相邻。多个孔包含将第1部分沿其厚度方向贯通的多个第1孔(211)。在与正面金属的外轮廓相比更靠内侧的环状区域(213)存在第1孔。
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公开(公告)号：CN117957648A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202180102427.0
申请日：2021-09-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/36
Abstract: 提供一种从半导体元件进行散热的散热性高的电力用半导体装置。电力用半导体装置具有半导体装置、散热片、油脂、粘结剂和端子座，半导体装置具有半导体元件、对半导体元件进行封装的封装材料以及与半导体元件电连接的电力端子，半导体装置的下表面的选择性的区域即第1区域与散热片通过粘结剂而粘结，半导体装置在半导体装置的下表面中的除选择性的区域之外的区域即第2区域处经由油脂而与散热片相接，端子座在上表面具有电极，半导体装置的电力端子与端子座相固定并且与端子座的电极电连接。
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公开(公告)号：CN117836930A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202180101335.0
申请日：2021-08-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/29
Abstract: 在散热器(1)之上安装有半导体芯片(2、3)。框架(4)与半导体芯片(2、3)的上表面接合。在将散热器(1)、半导体芯片(2、3)及框架(4)封装的模塑树脂(9)的上表面设置有凹部(10)。在凹部(10)隔着导热率比模塑树脂(9)高的导热材料(11)而外置安装有散热板(12)。散热板(12)通过模塑树脂(9)与半导体芯片(2、3)及框架(4)绝缘。散热板(12)为彼此相对的上表面和下表面分别平坦的平板。
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公开(公告)号：CN112335025A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201880095124.9
申请日：2018-06-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于半导体装置的寿命的均一化。半导体装置(101)具有：半导体元件(1)，其具有正面金属(11)；引线框(2)，其具有第1部分(21)；接合层(5)，其具有第1层(51)以及第2层(52)；以及焊料(31)，其比接合层厚。正面金属、第1部分分别以第1金属、第2金属为材料。第1层、第2层分别是第1金属与锡的合金、第2金属与锡的合金。接合层位于第1部分与正面金属之间。第1层、第2层分别位于正面金属侧、第1部分侧。在第1部分，多个孔避开正面金属的外轮廓而贯通。焊料位于多个孔的内部，与接合层相邻。多个孔包含将第1部分沿其厚度方向贯通的多个第1孔(211)。在与正面金属的外轮廓相比更靠内侧的环状区域(213)存在第1孔。
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公开(公告)号：CN114902400B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202080091658.1
申请日：2020-01-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 木本信义
IPC: H01L23/29
Abstract: 目的在于提供能够在半导体装置的组装等时抑制针式鳍片的由接触引起的变形的技术。半导体装置(100)具有基座板(1)、半导体元件(6)和树脂部件。基座板(1)在下表面具有多个针式鳍片(2)。半导体元件(6)搭载于基座板(1)的上侧。树脂部件至少将半导体元件(6)的侧面覆盖。另外，树脂部件具有将基座板(1)的侧面覆盖的肋部(9)，肋部(9)的下端位于比多个针式鳍片(2)的下端更靠下方处。
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