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公开(公告)号:CN1203542C
公开(公告)日:2005-05-25
申请号:CN01123243.9
申请日:2001-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/15
CPC classification number: H05K3/0061 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B2237/86 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/13091 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19107 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/341 , H05K2201/2036 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2075 , H01L2924/2076 , H01L2924/20754
Abstract: 在Cu合金形成的金属基板1上,装载半导体元件衬底2。半导体元件衬底2配有例如陶瓷形成的绝缘衬底3,而且在其上面和下面配有均为Al合金制的电路图形4和下面图形5。下面图形5被配置在整个绝缘衬底3上,通过图形层8被连接在金属基板1上。将金属基板1和绝缘衬底3的厚度例如分别设定为3.5~5.5mm和0.5~1mm,将电路图形4的厚度设定为0.4~0.6mm,将下面图形5和图形层8C的厚度分别设定为0.2mm以下和100~300μm。
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公开(公告)号:CN1354510A
公开(公告)日:2002-06-19
申请号:CN01123243.9
申请日:2001-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/15
CPC classification number: H05K3/0061 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B2237/86 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/13091 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19107 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/341 , H05K2201/2036 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2075 , H01L2924/2076 , H01L2924/20754
Abstract: 在Cu合金形成的金属基板1上,装载半导体元件衬底2。半导体元件衬底2配有例如陶瓷形成的绝缘衬底3,而且在其上面和下面配有均为Al合金制的电路图形4和下面图形5。下面图形5被配置在整个绝缘衬底3上,通过图形层8被连接在金属基板1上。将金属基板1和绝缘衬底3的厚度例如分别设定为3.5~5.5mm和0.5~1mm,将电路图形4的厚度设定为0.4~0.6mm,将下面图形5和图形层8C的厚度分别设定为0.2mm以下和100~300μm。
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