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公开(公告)号：CN115598942A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210794402.8
申请日：2022-07-07
Applicant: 三星SDI株式会社(KR) , 三星电子株式会社(KR)
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。
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公开(公告)号：CN116482935A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211535262.9
申请日：2022-12-02
Abstract: 本发明涉及一种形成图案的方法。该方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘顺序地涂覆两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，以及对该含金属的抗蚀剂膜进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案；或在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘涂覆用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，曝光含金属的抗蚀剂膜，以及用显影液组合物显影以形成抗蚀剂图案，其中，两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物和显影液组合物的细节如说明书中所述。
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公开(公告)号：CN115598939A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210793674.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 三星SDI株式会社(KR) , 三星电子株式会社(KR)
Abstract: 本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
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公开(公告)号：CN117616109A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280047982.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C11D7/26 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/004
Abstract: 提供一种用于从含金属抗蚀剂中去除边珠的组合物以及一种形成图案的方法，所述方法包括使用所述组合物来去除边珠的步骤，且所述组合物包括有机溶剂及经至少一个羟基(‑OH)取代的环状化合物，其中所述环状化合物具有5至30的碳数，且所述环状化合物在环中具有至少一个双键。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN109478015B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201680087729.4
申请日：2016-10-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G03F7/004 , H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/324 , H01L21/02 , C08L65/00
Abstract: 本发明揭示一种有机层组成物及使用有机层组成物的图案形成方法，有机层组成物包含：聚合物，包含由化学式1表示的结构单元；添加剂，在作为含芳族环化合物的结构中包含经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的乙烯基、经取代或未经取代的乙炔基、叠氮基及腈基中的至少一者；以及溶剂。化学式1与在说明书中所定义的相同。本发明因包含预定聚合物及预定添加剂而在以旋涂方法进行涂布的同时具有提高的耐蚀刻性的有机层组成物。由有机层组成物制造的有机层具有提高的膜密度及膜平坦度。
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公开(公告)号：CN113396364A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202080012809.X
申请日：2020-03-23
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明是有关于一种抗蚀剂底层组成物及一种使用所述组成物形成图案的方法。根据实施例，所述抗蚀剂底层组成物包含：聚合物，包括在末端处由化学式1表示的结构以及在主链中由化学式2表示的结构单元及由化学式3表示的结构单元；以及溶剂。化学式1至化学式3的定义与详细说明中所述的相同。
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公开(公告)号：CN106883380A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611079474.5
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G61/02 , C08L65/00 , C09D165/00 , G03F7/00 , G03F7/09
Abstract: 本发明涉及一种聚合物、有机层组合物及形成图案的方法。所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元：其中Ar1及Ar2独立地为经取代或未经取代的苯环或包含两个至四个稠合的经取代或未经取代的苯环的芳环，A1及A2独立地为经取代或未经取代的芳环，其限制条件是A1及A2中的至少一者经氢可键结官能基取代，且A1的氢可键结官能基的数量与A2的氢可键结官能基的数量的总和大于或等于3，L为二价有机基，且＊为连接点。本发明的聚合物具有令人满意的溶解性特征以及优异的机械特征、耐蚀刻性及耐热性。[化学式1]所述化学式1与具体实施方式中所定义的相同。
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公开(公告)号：CN105575775A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510426921.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金旼秀 , 宋炫知 , 姜善惠 , 金成旻 , 金瑆焕 , 金永珉 , 金润俊 , 金惠廷 , 南沇希 , 白载烈 , 尹星莉 , 尹龙云 , 李忠宪 , 郑瑟基 , 赵妍熹 , 洪承希 , 黄善民 , 黄元宗 , 李松世 , 金命九 , 刘奈莉
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/46 , G03F1/76 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置，其中，制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1)；将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2)；以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3)；从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构，且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。
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