公开(公告)号：CN114647146B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]#imgabs0#。

公开(公告)号：CN117795049A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280055024.X

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  李旻映 ,  许伦旼 ,  具滋旼 ,  李东炯 ,  韩多顺 ,  金旼秀 ,  金宰贤

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/36 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  G03F7/42 ,  G03F7/004 ,  G03F7/16 ,  G03F7/40

Abstract: 提供一种用于从含金属抗蚀剂中去除边珠的组成物以及一种形成图案的方法，所述方法包括使用所述组成物来去除边珠的步骤，且所述组成物包括有机溶剂以及具有大于或等于30平方埃的AlogP3的化合物。

公开(公告)号：CN115598939A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210793674.6

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星SDI株式会社(KR) ,  三星电子株式会社(KR)

Inventor： 许伦旼 ,  文炯朗 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀 ,  崔正敏 ,  高武铉 ,  金贞儿 ,  都星安 ,  裵相元 ,  韩勋 ,  洪锡九

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。

公开(公告)号：CN115668056A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180036970.5

申请日：2021-08-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  金兑镐 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/025 ,  G03F7/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组成物及使用所述半导体光致抗蚀剂组成物形成图案的方法。所述组成物包含溶剂及由化学式1表示的有机金属化合物。化学式1的具体细节如在说明书中所定义。

公开(公告)号：CN113655689A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110510318.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  金宰贤 ,  文京守 ,  禹昌秀 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  田桓承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包含(A)有机金属化合物、(B)具有在25℃下小于或等于约1.0mmHg的蒸气压和约3到约5的pKa的有机酸以及(C)溶剂。

公开(公告)号：CN110780536A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910694739.X

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  金宰贤 ,  罗隆熙 ,  南宫烂 ,  田桓承 ,  蔡承龙

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开涉及一种包含由化学式1表示的有机金属化合物以及溶剂的半导体抗蚀剂组合物，以及涉及一种使用所述组合物形成图案的方法及系统，其中，在化学式1中，R1是脂族烃基、芳族烃基或-亚烷基-O-烷基，且R2到R4分别独立地选自-ORa及-OC(＝O)Rb。本公开的半导体抗蚀剂组合物具有改善的耐刻蚀性、灵敏度且易于处置。[化学式1]

公开(公告)号：CN117597425A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047517.9

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  李旻映 ,  许伦旼 ,  具滋旼 ,  李东炯 ,  韩多顺 ,  金旼秀 ,  金宰贤

IPC: C11D7/26

Abstract: 提供一种用于从含金属抗蚀剂中去除边珠的组合物以及一种形成图案的方法，所述方法包括使用所述组合物来去除边珠的步骤，且所述组合物包括有机溶剂以及具有7g/mol·ea或大于7g/mol·ea的平均分子量的化合物。

公开(公告)号：CN110780536B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201910694739.X

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  金宰贤 ,  罗隆熙 ,  南宫烂 ,  田桓承 ,  蔡承龙

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开涉及一种包含由化学式1表示的有机金属化合物以及溶剂的半导体抗蚀剂组合物，以及涉及一种使用所述组合物形成图案的方法及系统，其中，在化学式1中，R1是脂族烃基、芳族烃基或‑亚烷基‑O‑烷基，且R2到R4分别独立地选自‑ORa及‑OC(＝O)Rb。本公开的半导体抗蚀剂组合物具有改善的耐刻蚀性、灵敏度且易于处置。[化学式1]

公开(公告)号：CN114647146A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]

公开(公告)号：CN111856879A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010357520.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  文京守 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用其形成图案的方法，所述半导体光致抗蚀剂组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂。化学式1及化学式2的细节如在详细说明中所定义。