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公开(公告)号：CN104749886B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201410705160.6
申请日：2014-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、形成图案的方法与半导体集成电路装置。所述硬掩模组合物包含：聚合物，所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分；由以下化学式2表示的单体；以及溶剂。[化学式1a][化学式1b][化学式1c][化学式2]在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中，R1a、R1b、R4a、R4b、R2a、R2b、R5a、R5b和R3与说明书中定义的相同。
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公开(公告)号：CN104749886A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410705160.6
申请日：2014-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、形成图案的方法与半导体集成电路装置。所述硬掩模组合物包含：聚合物，所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分；由以下化学式2表示的单体；以及溶剂。[化学式1a][化学式1b][化学式1c][化学式2]在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中，R1a、R1b、R4a、R4b、R2a、R2b、R5a、R5b和R3与说明书中定义的相同。
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公开(公告)号：CN115572540B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
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公开(公告)号：CN115572540A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
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公开(公告)号：CN111944320B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010411761.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H‑NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104926748B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510043403.9
申请日：2015-01-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C07D263/57 , C07D235/18 , C07C251/24 , C07C233/80 , G03F7/00
CPC classification number: C09D7/63 , C07C233/80 , C07C251/24 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/50 , C09D5/006 , G03F7/0752 , G03F7/094
Abstract: 本发明提供一种由以下化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体、一种包含所述单体的硬掩模组合物以及一种使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。[化学式1]A、B、B'、L、L'、X以及X'与具体实施方式中所定义的相同。基于此，本发明提供的单体具有改良的耐热性和抗蚀刻性。
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公开(公告)号：CN106610567A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610860457.9
申请日：2016-09-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种产生层结构以及形成图案的方法。所述产生层结构的方法包含在具有多个图案的衬底上涂布第一组合物且将其固化以形成第一有机层(S1)；施用液体材料到第一有机层以去除第一有机层的一部分(S2)；以及在部分去除的第一有机层上涂布第二组合物且将其固化以形成第二有机层(S3)，其中第一组合物和第二组合物独立地为包含由化学式1表示的结构单元和溶剂的聚合物。本发明不使用特定回蚀或化学机械抛光工艺却可显示极好的平坦化特征，且通过使用预定聚合物作为层材料，显示改进的耐蚀刻性的产生层结构。在化学式1中，A1、B1以及*与具体实施方式中所定义相同。
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公开(公告)号：CN105093834A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510136947.X
申请日：2015-03-26
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组成物和使用所述硬掩模组成物形成图案的方法。所述硬掩膜组成物包含聚合物和溶剂，所述聚合物包含由以下化学式1表示的部分。[化学式1]*—A—B—*在所述化学式1中，A和B与具体实施方式中所定义的相同。本发明提供的硬掩模组成物能确保溶剂的可溶性、间隙填充特性和平坦化特性并满足耐热性和耐蚀刻性。
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公开(公告)号：CN117348341A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310445626.2
申请日：2023-04-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种含金属光刻胶显影剂组合物，及一种包含使用所述组合物进行显影的步骤的图案形成方法，且所述含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；以及至少一种添加剂，选自亚磷酸类化合物、次磷酸类化合物、亚硫酸类化合物以及氧肟酸类化合物，其中包含约0.0001重量％至小于约1.0重量％的量的所述添加剂。含金属光刻胶显影剂组合物可使曝光工艺之后存在于含金属光刻胶膜中的缺陷最小化且实现容易显影，由此实现极佳对比度特性、极佳敏感性以及减小的线边缘粗糙度。
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公开(公告)号：CN110903764B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201811610012.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D1/00
Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。
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