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公开(公告)号:CN115598942A
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202210794402.8
申请日:2022-07-07
Applicant: 三星SDI株式会社(KR) , 三星电子株式会社(KR)
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物,及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物,其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。
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公开(公告)号:CN116482935A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202211535262.9
申请日:2022-12-02
Abstract: 本发明涉及一种形成图案的方法。该方法包括:在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物,沿着基板的边缘顺序地涂覆两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物,执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜,以及对该含金属的抗蚀剂膜进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案;或在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物,沿着基板的边缘涂覆用于去除边缘珠粒的组合物,执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜,曝光含金属的抗蚀剂膜,以及用显影液组合物显影以形成抗蚀剂图案,其中,两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物和显影液组合物的细节如说明书中所述。
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公开(公告)号:CN115598939A
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202210793674.6
申请日:2022-07-07
Applicant: 三星SDI株式会社(KR) , 三星电子株式会社(KR)
Abstract: 本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物,以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物,其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
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公开(公告)号:CN110023433B
公开(公告)日:2021-08-03
申请号:CN201780074614.6
申请日:2017-09-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/18 , B24B57/02 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明的一种用于抛光有机膜的浆料组合物,其包括氧化剂、有机酸、包含衍生自马来酸或马来酸酐的重复单元的抛光促进剂和水,其中该抛光促进剂以低于有机酸的重量被包括。
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公开(公告)号:CN107922819B
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201680047980.8
申请日:2016-07-21
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: 本发明是有关于一种用于有机膜的化学机械研磨研浆组成物、其制备方法以及使用其的研磨有机膜的方法,化学机械研磨研浆组成物包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的化学机械研磨研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw,其为水接触角变化,且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆,浸渍于化学机械研磨研浆中10小时之后所测量。方程式(1):水接触角变化Δθw=|θ1‑θ2|。
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公开(公告)号:CN107636110B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN201680027986.9
申请日:2016-05-09
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105
Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子%至约99原子%的有机膜的化学机械研磨(CMP)浆料组合物的用途及用于研磨有机膜的方法。CMP浆料组合物包含:极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者;金属氧化物磨蚀剂;氧化剂;以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应,在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率,在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性,以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。
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公开(公告)号:CN110023433A
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201780074614.6
申请日:2017-09-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/18 , B24B57/02 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明的一种用于抛光有机膜的浆料组合物,其包括氧化剂、有机酸、包含衍生自马来酸或马来酸酐的重复单元的抛光促进剂和水,其中该抛光促进剂以低于有机酸的重量被包括。
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公开(公告)号:CN115895662B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202211018998.9
申请日:2022-08-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含:无机酸或其盐;以及硅烷化合物,其中,该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。
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公开(公告)号:CN105143390B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201480021926.7
申请日:2014-04-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B1/00 , B24B37/044 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09G1/06 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , C09K3/1472 , C09K13/06 , H01L21/30625 , H01L21/31058 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法,该CMP浆料组成物包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂,其中所述组成物为酸性,且所述有机膜具有约50原子%至95原子%的碳含量。该CMP浆料组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度,且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除,借此确保更均匀研磨。
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