公开(公告)号：CN107915760A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710899209.X

申请日：2017-09-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF株式会社

Inventor： 宜昌佑 ,  金铭云 ,  尹至恩 ,  李刚镛 ,  李相益 ,  林载顺 ,  赵晟佑 ,  曹仑廷

IPC: C07F11/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开有机金属前体、使用其形成层的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述有机金属前体包括：作为中心金属的钨、键合至所述中心金属的环戊二烯基配体、以及第一结构或第二结构，所述第一结构包括键合至所述环戊二烯基配体的烷基甲硅烷基，和所述第二结构包括键合至所述中心金属的烯丙基配体。

公开(公告)号：CN107814817A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710389086.5

申请日：2017-05-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  金铭云 ,  李相益 ,  李圣德 ,  赵晟佑

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02178 ,  C07F5/062 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L28/90 ,  H01L29/40117 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  C23C16/303 ,  C23C16/403 ,  H01L21/02271

Abstract: 公开铝化合物、通过使用其形成薄膜的方法、和制造集成电路器件的方法。铝化合物由化学式(I)表示并且用作用于形成含铝薄膜的源材料。在化学式(I)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、和R8与说明书中描述的相同。化学式(I)。

公开(公告)号：CN107871654B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201710757944.7

申请日：2017-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元雄 ,  曹仑廷 ,  黄宣惠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H10B43/30

Abstract: 一种形成介电膜的方法包括：在腔室中提供衬底；以及使用原子层沉积(ALD)方法在所述衬底上形成氮化硅膜，在所述原子层沉积方法中，将第一气体及第二气体引入到所述腔室中，第一气体包含含有六氯二硅氮烷(HCDZ)的硅前体，第二气体含有氮成分。

公开(公告)号：CN106336422B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201610529169.5

申请日：2016-07-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  佐藤晴义 ,  山田直树 ,  内生藏广幸

IPC: C07F5/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。

公开(公告)号：CN104004007B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201410063617.8

申请日：2014-02-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 尹相喆 ,  樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  曹仑廷 ,  姜知那 ,  山田直树 ,  崔晶植

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/20 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/085 ,  H01G4/1272 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

Abstract: 铝化合物由下式1表示。在式1中，X为由以下式2或式3表示的官能团。

公开(公告)号：CN110246750B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201910171202.5

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴秦煜 ,  任台镇 ,  曹仑廷 ,  博森田 ,  泰久降幡

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

Abstract: 公开了一种形成氧化物层的方法和制造半导体器件的方法。形成氧化物层的方法包括：在半导体衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si‑H1键、Si‑H2键和Si‑H3键中，Si‑H2键的比例为约40％至约90％；在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；和在氧化性气氛中对所述第一材料层进行第二退火过程。

公开(公告)号：CN110349854B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201910180129.8

申请日：2019-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  朴阳仙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体图案，使得半导体图案彼此竖直间隔开；以及形成金属逸出功图案以填充半导体图案之间的空间，其中，形成金属逸出功图案的步骤包括执行原子层沉积(ALD)工艺以形成合金层，并且ALD工艺包括在基底上提供包含有机铝化合物的第一前驱体以及在基底上提供包含钒‑卤素化合物的第二前驱体。

公开(公告)号：CN107619419B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201710244138.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F5/06 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了一种由通式(I)表示的铝化合物、一种形成薄膜的方法以及一种制造集成电路器件的方法。通式(I)

公开(公告)号：CN112309831A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010730842.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  金海龙 ,  柳承旻 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  禹昌秀 ,  郑圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件，所述氧化物膜包括至少两种非氧元素。形成包括至少两种非氧元素的方法包括将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。

公开(公告)号：CN108735574A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710244642.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 黄宣惠 ,  金铭云 ,  曹仑廷 ,  李相益 ,  全相勇 ,  郑仁京 ,  郑元雄 ,  崔晶植

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种形成介电层的方法及制造半导体装置的方法。形成介电层的方法包含在衬底上使用硅前驱物形成初始介电层以及对初始介电层进行能量处理以形成介电层。在介电层中，Si-CH3键结单元与Si-O键结单元的比率是在0.5到5范围内。介电层具有相对较低介电常数以及相对较高机械强度。