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发明公开
有机金属前体、使用其形成层的方法和使用其制造半导体器件的方法无效

公开(公告)号：CN107915760A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710899209.X

申请日：2017-09-28

Applicant: 三星电子株式会社 , DNF株式会社

Inventor： 宜昌佑 , 金铭云 , 尹至恩 , 李刚镛 , 李相益 , 林载顺 , 赵晟佑 , 曹仑廷

IPC: C07F11/00 , H01L21/02

Abstract: 公开有机金属前体、使用其形成层的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述有机金属前体包括：作为中心金属的钨、键合至所述中心金属的环戊二烯基配体、以及第一结构或第二结构，所述第一结构包括键合至所述环戊二烯基配体的烷基甲硅烷基，和所述第二结构包括键合至所述中心金属的烯丙基配体。

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