公开(公告)号：CN107915760A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710899209.X

申请日：2017-09-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF株式会社

Inventor： 宜昌佑 ,  金铭云 ,  尹至恩 ,  李刚镛 ,  李相益 ,  林载顺 ,  赵晟佑 ,  曹仑廷

IPC: C07F11/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开有机金属前体、使用其形成层的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述有机金属前体包括：作为中心金属的钨、键合至所述中心金属的环戊二烯基配体、以及第一结构或第二结构，所述第一结构包括键合至所述环戊二烯基配体的烷基甲硅烷基，和所述第二结构包括键合至所述中心金属的烯丙基配体。

公开(公告)号：CN108149222A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711247397.4

申请日：2017-12-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  金铭云 ,  李相益 ,  全相勇 ,  李刚镛

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C07F7/22

CPC classification number: C07F7/2284 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供一种锡化合物、用于原子层沉积(ALD)的锡前体化合物、形成含锡材料膜的方法、及合成锡化合物的方法，所述锡化合物是由化学式(I)表示： 其中R1、R2、Q1、Q2、Q3、及Q4分别独立地为C1至C4直链烷基或支链烷基，且所述锡化合物可具有良好的热稳定性。