公开(公告)号：CN107915760A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710899209.X

申请日：2017-09-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF株式会社

Inventor： 宜昌佑 ,  金铭云 ,  尹至恩 ,  李刚镛 ,  李相益 ,  林载顺 ,  赵晟佑 ,  曹仑廷

IPC: C07F11/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开有机金属前体、使用其形成层的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述有机金属前体包括：作为中心金属的钨、键合至所述中心金属的环戊二烯基配体、以及第一结构或第二结构，所述第一结构包括键合至所述环戊二烯基配体的烷基甲硅烷基，和所述第二结构包括键合至所述中心金属的烯丙基配体。

公开(公告)号：CN109134546B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201810556182.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  林载顺 ,  尹至恩 ,  斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。

公开(公告)号：CN109134546A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810556182.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  林载顺 ,  尹至恩 ,  斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/30 ,  C07F11/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  C07F11/005 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。