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公开(公告)号：CN108735574B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201710244642.X
申请日：2017-04-14
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种形成介电层的方法及制造半导体装置的方法。形成介电层的方法包含在衬底上使用硅前驱物形成初始介电层以及对初始介电层进行能量处理以形成介电层。在介电层中，Si‑CH3键结单元与Si‑O键结单元的比率是在0.5到5范围内。介电层具有相对较低介电常数以及相对较高机械强度。
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公开(公告)号：CN108735574A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710244642.X
申请日：2017-04-14
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种形成介电层的方法及制造半导体装置的方法。形成介电层的方法包含在衬底上使用硅前驱物形成初始介电层以及对初始介电层进行能量处理以形成介电层。在介电层中，Si-CH3键结单元与Si-O键结单元的比率是在0.5到5范围内。介电层具有相对较低介电常数以及相对较高机械强度。
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公开(公告)号：CN107946174B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201710946191.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/033
Abstract: 公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅‑硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。
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公开(公告)号：CN107871654A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710757944.7
申请日：2017-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L27/11568
CPC classification number: H01L21/02222 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45553 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76831 , H01L29/40117 , H01L21/02301 , H01L21/28194 , H01L27/11568
Abstract: 一种形成介电膜的方法包括：在腔室中提供衬底；以及使用原子层沉积(ALD)方法在所述衬底上形成氮化硅膜，在所述原子层沉积方法中，将第一气体及第二气体引入到所述腔室中，第一气体包含含有六氯二硅氮烷(HCDZ)的硅前体，第二气体含有氮成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108346559A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810069059.4
申请日：2018-01-24
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242 , H01L27/11521 , H01L21/336 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/76831 , H01L27/10885 , H01L27/11521 , H01L29/40114 , B82Y40/00 , H01L21/02222 , H01L27/10844 , H01L29/66522 , H01L29/66568
Abstract: 一种制作半导体装置的方法及形成介电层的方法。制作半导体装置的方法包括：在衬底上形成具有高度差的结构；以及使用原子层沉积方法在所述结构上形成介电层结构。形成所述介电层结构包括在具有所述高度差的所述结构上形成包含氮化硅的第一介电层。形成所述第一介电层包括将包含五氯二硅烷或二异丙胺五氯二硅烷作为硅前体的第一气体以及包含氮成分的第二气体馈送到包括所述衬底的腔室中，使得在具有所述高度差的所述结构上在原位形成所述第一介电层。
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公开(公告)号：CN107946174A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710946191.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/033
CPC classification number: H01L21/32139 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/24 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L21/32055 , H01L27/10885 , H01L21/02406 , H01L21/02474 , H01L21/02496 , H01L21/02527 , H01L21/02664
Abstract: 公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅-硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。
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公开(公告)号：CN110349849B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201910163957.0
申请日：2019-03-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/455 , F17C1/04 , F17D1/02 , F17D3/01
Abstract: 提供了气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。
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公开(公告)号：CN110349849A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910163957.0
申请日：2019-03-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/455 , F17C1/04 , F17D1/02 , F17D3/01
Abstract: 提供了气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。
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公开(公告)号：CN1769244A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510075559.1
申请日：2005-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C04B41/50 , C04B35/462 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02197 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , H01L21/02282 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种形成铁电体薄膜的方法，用于抑制a－畴的形成并提供充分的层覆盖。该方法包括将具有空切(miscut)表面的基材浸到反应溶液中，所述反应溶液包括钙钛矿型铁电体的前体化合物和水；及在低于钙钛矿型铁电体的相变温度的温度下，在反应溶液中进行水热反应，从而在基材的空切表面上形成钙钛矿型铁电体薄膜。
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