公开(公告)号：CN107026072B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610986776.4

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  乔治·克劳德方法的研究开发液气股份有限公司

Inventor： 林载顺 ,  朴圭熙 ,  曹仑延 ,  克雷门.兰萨洛 ,  卢沅泰 ,  J.利弗莱格 ,  李柱澔

IPC: H01L21/02

Abstract: 本文中公开了形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法。所述形成薄膜的方法包括通过使用铌前体成分和反应物形成含铌的膜，所述铌前体成分包括由式(1)表示的铌化合物，其中R各自独立地为H、C1‑C6烷基或R13Si，其中R1各自独立地为H或C1‑C6烷基，Cp为环戊二烯基，和L选自甲脒化物(NR,R'‑fmd)、脒化物(NR,R',R″‑amd)、和胍化物(NR,R',NR″,R″′‑gnd)。式(1)Nb(R5Cp)2(L)。

公开(公告)号：CN106336422B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201610529169.5

申请日：2016-07-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  佐藤晴义 ,  山田直树 ,  内生藏广幸

IPC: C07F5/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。

公开(公告)号：CN112341489A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN110272438A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910053529.2

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  原野一树 ,  佐藤晴义 ,  白鸟翼 ,  山田直树

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40

Abstract: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法，所述化合物由以下式1表示，其中，在式1中，R1是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基，R2和R3各自独立地是氢原子或者C1-C5直链或支链烷基，R2和R3中的至少一个是C3-C5支链烷基，并且R4是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基。[式1]

公开(公告)号：CN113402544A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110210695.6

申请日：2021-02-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  金在员 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  斋藤和也 ,  小出幸宜 ,  真锅芳树 ,  青木雄太郎 ,  内生藏广幸 ,  布施若菜

IPC: C07F9/09 ,  C07F9/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 公开了有机金属加成化合物以及制造集成电路(IC)器件的方法，该有机金属加成化合物由通式(I)表示：通式(I)在通式(I)中，R1、R2和R3各自独立地为C1至C5烷基，R1、R2和R3中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，M为铌原子、钽原子或钒原子，X为卤素原子，m为3至5的整数，并且n为1或2。

公开(公告)号：CN111943978A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L51/00

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3-C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]

公开(公告)号：CN107619419A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710244138.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F5/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/28556 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了一种由通式(I)表示的铝化合物、一种形成薄膜的方法以及一种制造集成电路器件的方法。通式(I)

公开(公告)号：CN110349854B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201910180129.8

申请日：2019-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  朴阳仙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体图案，使得半导体图案彼此竖直间隔开；以及形成金属逸出功图案以填充半导体图案之间的空间，其中，形成金属逸出功图案的步骤包括执行原子层沉积(ALD)工艺以形成合金层，并且ALD工艺包括在基底上提供包含有机铝化合物的第一前驱体以及在基底上提供包含钒‑卤素化合物的第二前驱体。

公开(公告)号：CN107619419B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201710244138.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F5/06 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了一种由通式(I)表示的铝化合物、一种形成薄膜的方法以及一种制造集成电路器件的方法。通式(I)

公开(公告)号：CN107814817A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710389086.5

申请日：2017-05-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  金铭云 ,  李相益 ,  李圣德 ,  赵晟佑

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02178 ,  C07F5/062 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L28/90 ,  H01L29/40117 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  C23C16/303 ,  C23C16/403 ,  H01L21/02271

Abstract: 公开铝化合物、通过使用其形成薄膜的方法、和制造集成电路器件的方法。铝化合物由化学式(I)表示并且用作用于形成含铝薄膜的源材料。在化学式(I)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、和R8与说明书中描述的相同。化学式(I)。