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公开(公告)号：CN110473804A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910381619.4
申请日：2019-05-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L21/67
Abstract: 清洁设备包括气体供应线路和清洁液体供应线路。喷嘴连接到气体供应线路和清洁液体供应线路。喷嘴将清洁液体施加到基板上。位于喷嘴的主体的顶部处的气体注入口连接到气体供应线路。第一清洁液体注入口设置在喷嘴主体的侧壁上并连接到清洁液体供应线路。流体排出口设置在喷嘴主体的底部，并排出气体和清洁液体。喷嘴主体的内部通道将气体注入口和第一清洁液体注入口中的每一个连接到流体排出口。流体排出口的直径大于第一清洁液体注入口的直径。
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公开(公告)号：CN110943085B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910711072.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请提供一种半导体装置和形成该半导体装置的方法。所述形成该半导体装置的方法包括：在基底上形成模制结构；在模制结构上形成具有沉积厚度的第一掩模层；以及使第一掩模层图案化，以形成使模制结构暴露的第一掩模开口。蚀刻模制结构以形成穿透模制结构的孔。使第一掩模层减薄以形成为包括厚度小于沉积厚度的掩模部分。形成导电图案以填充孔和第一掩模开口。蚀刻包括掩模部分的第一掩模层以使模制结构暴露。导电图案包括突起。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。
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公开(公告)号：CN117295338A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310742720.4
申请日：2023-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括：衬底；在衬底上的电路器件；下互连线，其电连接到电路器件；外围区域绝缘层，其覆盖下互连线；源极结构，其在外围区域绝缘层上；栅电极，其在源极结构上在第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，其穿透栅电极，各自包括沟道层；接触插塞，其穿透栅电极和源极结构，在第一方向上延伸，并且连接到下互连线的一部分；以及间隔物层，其在接触插塞和源极结构之间，并且包括与外围区域绝缘层的材料不同的材料，其中，间隔物层中的每一个在上表面上具有第一宽度，并且在下表面上具有大于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN104752508B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201410768392.6
申请日：2014-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。
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公开(公告)号：CN110872472A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910801210.3
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光(CMP)的浆料组合物，其包括用作抛光粒子的富勒醇和氢氧化烷基铵二者的复合化合物。可低成本大量制备展现出优秀抛光特性的所述浆料组合物。还公开了一种制备浆料组合物的方法，其包括：通过使氢氧化烷基铵、过氧化氢和富勒烯反应获得富勒醇复合化合物和未反应的过氧化氢的混合物；通过将过氧化氢分解催化剂粒子加入混合物中去除未反应的过氧化氢；通过过滤从混合物中分离过氧化氢分解催化剂粒子；以及将抛光添加剂加入混合物。还公开了一种制造半导体装置的方法，其包括：提供限定沟槽的图案；在所述图案上形成金属材料膜以填充沟槽；以及所述利用浆料组合物执行金属材料膜的CMP。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444474A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910278642.0
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/306
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成设计图案，其中，设计图案从衬底突出；在衬底上形成填充层，其中，填充层至少部分地覆盖设计图案；使用激光照射工艺和/或离子注入工艺在填充层中形成与设计图案相邻的防抛光图案；以及使用化学机械抛光(CMP)工艺去除填充层以暴露出设计图案。
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公开(公告)号：CN109494236A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811055002.5
申请日：2018-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/22 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。
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公开(公告)号：CN102117698B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010605685.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G4/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/06 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/87
Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
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公开(公告)号：CN102082138B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010529467.7
申请日：2010-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76807 , H01L21/76816 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种导电结构和集成电路器件。该导电结构包括延伸穿过衬底上的绝缘层的接触插塞，以及在该绝缘层上彼此并排延伸的第一导电线和第二导电线。该第一导电线延伸在该接触插塞上。在该绝缘层上的连接线延伸于该第一导电线和该第二导电线之间且电连接该第一导电线和该第二导电线。还公开了相关的集成电路器件和制造方法。
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公开(公告)号：CN111490048B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201911270314.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上，所述层间绝缘层包括：第一开口，所述第一开口在所述第一区域上，并且具有第一宽度；以及第二开口，所述第二开口在所述第二区域上，并且具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；至少一个第一金属图案，所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口；第二金属图案，所述第二金属图案位于所述第二开口中；以及填充图案，所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上，其中，所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料，所述填充图案由非金属材料形成。
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