半导体装置和形成该半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN110943085B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN201910711072.X

    申请日:2019-08-02

    Abstract: 本申请提供一种半导体装置和形成该半导体装置的方法。所述形成该半导体装置的方法包括:在基底上形成模制结构;在模制结构上形成具有沉积厚度的第一掩模层;以及使第一掩模层图案化,以形成使模制结构暴露的第一掩模开口。蚀刻模制结构以形成穿透模制结构的孔。使第一掩模层减薄以形成为包括厚度小于沉积厚度的掩模部分。形成导电图案以填充孔和第一掩模开口。蚀刻包括掩模部分的第一掩模层以使模制结构暴露。导电图案包括突起。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。

    半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统

    公开(公告)号:CN117295338A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202310742720.4

    申请日:2023-06-21

    Abstract: 提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括:衬底;在衬底上的电路器件;下互连线,其电连接到电路器件;外围区域绝缘层,其覆盖下互连线;源极结构,其在外围区域绝缘层上;栅电极,其在源极结构上在第一方向上堆叠并彼此间隔开;沟道结构,其穿透栅电极,各自包括沟道层;接触插塞,其穿透栅电极和源极结构,在第一方向上延伸,并且连接到下互连线的一部分;以及间隔物层,其在接触插塞和源极结构之间,并且包括与外围区域绝缘层的材料不同的材料,其中,间隔物层中的每一个在上表面上具有第一宽度,并且在下表面上具有大于第一宽度的第二宽度。

    浆料组合物、其制备方法和利用其制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN110872472A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910801210.3

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光(CMP)的浆料组合物,其包括用作抛光粒子的富勒醇和氢氧化烷基铵二者的复合化合物。可低成本大量制备展现出优秀抛光特性的所述浆料组合物。还公开了一种制备浆料组合物的方法,其包括:通过使氢氧化烷基铵、过氧化氢和富勒烯反应获得富勒醇复合化合物和未反应的过氧化氢的混合物;通过将过氧化氢分解催化剂粒子加入混合物中去除未反应的过氧化氢;通过过滤从混合物中分离过氧化氢分解催化剂粒子;以及将抛光添加剂加入混合物。还公开了一种制造半导体装置的方法,其包括:提供限定沟槽的图案;在所述图案上形成金属材料膜以填充沟槽;以及所述利用浆料组合物执行金属材料膜的CMP。

    半导体存储器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109494236A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811055002.5

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。

    半导体器件及其制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111490048B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN201911270314.2

    申请日:2019-12-12

    Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法,所述半导体器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域;层间绝缘层,位于所述半导体衬底上,所述层间绝缘层包括:第一开口,所述第一开口在所述第一区域上,并且具有第一宽度;以及第二开口,所述第二开口在所述第二区域上,并且具有第二宽度,所述第二宽度大于所述第一宽度;至少一个第一金属图案,所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口;第二金属图案,所述第二金属图案位于所述第二开口中;以及填充图案,所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上,其中,所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料,所述填充图案由非金属材料形成。

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