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公开(公告)号：CN110190109B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910039205.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学研究与商业基金会
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。
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公开(公告)号：CN110190109A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910039205.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学研究与商业基金会
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。
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公开(公告)号：CN120021370A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411331976.7
申请日：2024-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：位于衬底上的位线、位于位线上的沟道、位于沟道的第一侧壁上的第一栅极结构、位于位线与沟道之间的接触结构、以及位于沟道上并电连接到沟道的电容器，其中，接触结构接触位线和沟道，接触结构包括第一接触和位于第一接触上的第二接触，第一接触包括掺杂有第一杂质的半导体材料，第一杂质具有第一扩散系数，第二接触接触第一接触，第二接触包括掺杂有第二杂质的半导体材料，所述第二杂质具有第二扩散系数，第二扩散系数小于第一扩散系数。
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公开(公告)号：CN112701154A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011121554.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/092
Abstract: 公开了一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出，在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并包括第一半导体材料；隔离层，布置在衬底上并覆盖鳍型有源区的侧壁的下部，隔离层包括共形地布置在鳍型有源区的侧壁的下部上的绝缘衬层以及绝缘衬层上的绝缘填充层；覆盖层，围绕鳍型有源区的上表面和侧壁，包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中，覆盖层具有上表面、侧壁以及在上表面与侧壁之间的刻面表面；以及栅极结构，布置在覆盖层上并在与第一方向垂直的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN112331721A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010777350.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 一种半导体器件，包括：在垂直方向从半导体衬底延伸的有源区域；在有源区域上彼此间隔开的源极/漏极区域；在有源区域上的源极/漏极区域之间的鳍结构；覆盖有源区域的侧表面的隔离层；栅极结构，其与鳍结构重叠并覆盖鳍结构的上表面和侧表面；以及电连接到源极/漏极区域的接触插塞，鳍结构包括：在有源区域上的下半导体区域；在下半导体区域上的具有交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠结构，第一半导体层的至少一个的侧表面朝向相应的中心凹入；以及在堆叠结构上的半导体盖层，半导体盖层在栅极结构与下半导体区域和堆叠结构的每个之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109980012A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811462559.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；衬底上的栅电极；栅电极的侧壁上的栅极间隔物；穿透栅电极和栅极间隔物的有源图案；以及外延图案，与有源图案和栅极间隔物接触。栅电极在第一方向上延伸。栅极间隔物包括半导体材料层。有源图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN109427594A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811008516.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种制造包括二维(2D)材料的装置的方法，所述方法包括：在基底上形成过渡金属氧化物图案；以及在过渡金属氧化物图案的剩余部分的顶表面和侧表面上形成过渡金属二硫化物层。形成过渡金属二硫化物层的步骤可以包括使用过渡金属二硫化物层替换过渡金属氧化物图案的表面部分。过渡金属二硫化物层包括至少一个原子层，所述至少一个原子层基本平行于过渡金属氧化物图案的剩余部分的表面。
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公开(公告)号：CN107039507A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611034830.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/823431 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/41791 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/78 , H01L29/41725 , H01L29/42316
Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。
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公开(公告)号：CN119108397A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202311832327.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/48
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：下图案层，包括第一半导体材料；第一导电类型掺杂图案层，设置在下图案层上并且包括掺杂有第一导电类型杂质的半导体材料；源极/漏极图案，设置在第一导电类型掺杂图案层上并且包括掺杂有不同于第一导电类型杂质的第二导电类型杂质的半导体材料；沟道图案，包括半导体图案，半导体图案连接在源极/漏极图案之间，彼此隔开地堆叠，并包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料；以及栅极图案，设置在第一导电类型掺杂图案层上并在源极/漏极图案之间，并且围绕沟道图案。
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公开(公告)号：CN118448416A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410148880.0
申请日：2024-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金真范
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，包括：下结构；阻挡层，在下结构上；以及上结构，在阻挡层上，其中，下结构包括：下源/漏区；下有源层，在下源/漏区之间彼此间隔开；以及下栅极结构，包括在每个下有源层下方的部分，其中，上结构包括：上源/漏区，与下源/漏区竖直地重叠；上有源层，在上源/漏区之间彼此间隔开，并且与下有源层竖直地重叠；以及上栅极结构，包括在每个上有源层上的部分，并与下栅极结构竖直地重叠，并且其中，下有源层中的最上方下有源层和上有源层中的最下方上有源层与阻挡层接触。
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