公开(公告)号：CN110190109A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910039205.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学研究与商业基金会

Inventor： 金真范 ,  金亨燮 ,  崔成钦 ,  金镇用 ,  朴台镇 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。

公开(公告)号：CN110190109B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910039205.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学研究与商业基金会

Inventor： 金真范 ,  金亨燮 ,  崔成钦 ,  金镇用 ,  朴台镇 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。

公开(公告)号：CN115968195A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211224611.5

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具本洪 ,  金珉佑 ,  金镇用 ,  潘孝同 ,  宋正宇 ,  河大权

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：导电图案；绝缘图案，位于导电图案之间；绝缘蚀刻停止层，位于导电图案和绝缘图案上；电容器，包括第一电容器电极、第二电容器电极和电介质，第一电容器电极与导电图案接触，电介质位于第一电容器电极与第二电容器电极之间；绝缘结构，覆盖电容器和绝缘蚀刻停止层；以及外围接触插塞，穿过绝缘结构和绝缘蚀刻停止层，并且包括堆叠在彼此的顶部上的第一插塞区域至第五插塞区域，第四插塞区域的侧表面的至少一部分具有与第三插塞区域的倾斜角和第五插塞区域的倾斜角不同的倾斜角，并且第五插塞区域的竖直厚度是第一插塞区域至第四插塞区域的竖直厚度之和的至少两倍。

公开(公告)号：CN113013083A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011020787.X

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文锦妃 ,  金镇用 ,  李准原 ,  黄光台 ,  金益秀 ,  任智芸

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供了形成材料膜的方法、集成电路器件和制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路(IC)器件，制备了具有限定沟槽的台阶结构的下结构。在沟槽内部形成材料膜。为了形成材料膜，将包括第一中心元素和具有第一尺寸的第一配体的第一前体供应到下结构上，以在下结构上形成第一前体的第一化学吸附层。将包括第二中心元素和具有小于第一尺寸的第二尺寸的第二配体的第二前体供应到包括第一化学吸附层的所得结构上，以在下结构上形成第二前体的第二化学吸附层。将反应气体供应到第一化学吸附层和第二化学吸附层。