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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120021370A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411331976.7
申请日：2024-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：位于衬底上的位线、位于位线上的沟道、位于沟道的第一侧壁上的第一栅极结构、位于位线与沟道之间的接触结构、以及位于沟道上并电连接到沟道的电容器，其中，接触结构接触位线和沟道，接触结构包括第一接触和位于第一接触上的第二接触，第一接触包括掺杂有第一杂质的半导体材料，第一杂质具有第一扩散系数，第二接触接触第一接触，第二接触包括掺杂有第二杂质的半导体材料，所述第二杂质具有第二扩散系数，第二扩散系数小于第一扩散系数。
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公开(公告)号：CN119108397A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202311832327.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/48
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：下图案层，包括第一半导体材料；第一导电类型掺杂图案层，设置在下图案层上并且包括掺杂有第一导电类型杂质的半导体材料；源极/漏极图案，设置在第一导电类型掺杂图案层上并且包括掺杂有不同于第一导电类型杂质的第二导电类型杂质的半导体材料；沟道图案，包括半导体图案，半导体图案连接在源极/漏极图案之间，彼此隔开地堆叠，并包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料；以及栅极图案，设置在第一导电类型掺杂图案层上并在源极/漏极图案之间，并且围绕沟道图案。
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公开(公告)号：CN119677099A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411261804.7
申请日：2024-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位线，所述位线在所述衬底上沿第一方向延伸；位于所述位线上的第一垂直沟道图案和第二垂直沟道图案；背栅电极，所述背栅电极位于所述第一垂直沟道图案与所述第二垂直沟道图案之间并且跨越所述位线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；第一字线，所述第一字线从所述第一垂直沟道图案的一侧在所述第二方向上延伸；第二字线，所述第二字线从所述第二垂直沟道图案的另一侧在所述第二方向上延伸；以及接触图案，所述接触图案连接到所述第一垂直沟道图案和所述第二垂直沟道图案中的每一者。当从截面图观察时，所述第一垂直沟道图案和所述第二垂直沟道图案中的每一者呈长边彼此面向的梯形形状。
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公开(公告)号：CN118201353A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311380538.5
申请日：2023-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种集成电路装置包括：衬底，其具有有源区；字线，其在第一水平方向上在衬底中延伸；位线，其在第二水平方向上在字线上延伸；直接接触件，其将位线电连接至有源区；掺杂接触件，其将直接接触件连接至有源区；单元焊盘，其具有大于有源区的水平宽度的水平宽度；埋置接触件，其深入至单元焊盘的一个侧壁中；以及导电着陆焊盘，其在第一水平方向上面对位线。掺杂接触件包括第一掺杂接触件和第二掺杂接触件，并且第一掺杂接触件在竖直方向上的厚度小于第二掺杂接触件在竖直方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN115954361A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211204721.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件。一种半导体器件，包括：第一有源图案，与衬底间隔开并沿第一方向延伸；第二有源图案，比第一有源图案更远离衬底并沿第一方向延伸；栅极结构，在衬底上，该栅极结构沿与第一方向相交的第二方向延伸，并穿透第一有源图案和第二有源图案；第一源/漏区，在栅极结构的至少一个侧表面上并连接到第一有源图案；第二源/漏区，在栅极结构的至少一个侧表面上并连接到第二有源图案；以及缓冲层，在衬底和第一有源图案之间，该缓冲层包含锗。
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