公开(公告)号：CN109980012A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811462559.0

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金真范 ,  金文铉 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  李宽钦 ,  卢昶佑 ,  玛丽亚·托莱达诺卢克 ,  朴洪培 ,  李始炯 ,  黄成万

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；衬底上的栅电极；栅电极的侧壁上的栅极间隔物；穿透栅电极和栅极间隔物的有源图案；以及外延图案，与有源图案和栅极间隔物接触。栅电极在第一方向上延伸。栅极间隔物包括半导体材料层。有源图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN112239860B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。

公开(公告)号：CN112239860A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。

公开(公告)号：CN119277775A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410631012.8

申请日：2024-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  金奉秀 ,  金容宽 ,  金钟珉 ,  朴台镇 ,  尹灿植 ,  韩珍优

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置，包括：有源阵列，其中，多个有源图案被布置在衬底上；栅极结构，其在第一方向上延伸并与有源图案的中心部分交叉；位线结构，其接触有源图案的与栅极结构的第一侧壁相邻的第一部分，并在第二方向上延伸；以及电容器，其电连接到有源图案中的每一个有源图案的与栅极结构的第二侧壁相邻的第二部分。在平面图中，有源图案中的每一个有源图案的上端部分和有源图案中的每一个有源图案的下端部分被布置为在相对于第一方向倾斜的第三方向上间隔开。在第二方向上并排布置的有源图案形成有源列。

公开(公告)号：CN118785702A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202311407792.X

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昊相 ,  朴台镇 ,  李泫珍 ,  蔡熙载 ,  崔润

IPC: H10B12/00

Abstract: 根据一些示例实施例的半导体器件包括：衬底，包括元件隔离层之间的有源区域；字线，与有源区域重叠并且在第一方向上延伸；位线，与有源区域重叠并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；掩埋接触部，连接到有源区域；第一焊盘，在有源区域和位线之间并且将有源区域和位线连接；第二焊盘，在有源区域和掩埋接触部之间并且将有源区域和掩埋接触部连接；以及着接焊盘，连接到掩埋接触部。元件隔离层中的每一个包括第一元件隔离层和在第一元件隔离层内部的第二元件隔离层，并且第一焊盘和第二焊盘中的每一个在元件隔离层之间。

公开(公告)号：CN118338673A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410012935.5

申请日：2024-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金奉秀 ,  金熙中

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括：第一结构，其包括第一杂质区域、第二杂质区域和隔离区域；第二结构，其位于第一结构上并且包括穿透第二结构并且暴露出第一杂质区域的接触开口；图案结构，其包括在接触开口中连接到第一杂质区域的接触部分；以及线部分，其位于接触部分和第二结构上；以及间隔件结构，其位于接触开口的侧表面与接触部分之间。间隔件结构包括位于接触开口的侧表面上的第一间隔件层、以及位于第一间隔件层与接触部分之间的第二间隔件层。第二间隔件层的下端位于比接触部分的下表面高的水平高度处。

公开(公告)号：CN110190109B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910039205.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学研究与商业基金会

Inventor： 金真范 ,  金亨燮 ,  崔成钦 ,  金镇用 ,  朴台镇 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。

公开(公告)号：CN109427900B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810568075.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  朴台镇 ,  李钟旼 ,  金锡勋 ,  徐东灿 ,  柳廷昊 ,  成河圭 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

公开(公告)号：CN112151358B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202010258067.0

申请日：2020-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东俊 ,  金根楠 ,  金大铉 ,  朴台镇 ,  韩成熙

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H10B12/00 ,  G03F1/76 ,  G03F1/56 ,  G03F1/48

Abstract: 本发明公开了一种形成图案的方法、制造集成电路器件的方法以及该集成电路器件。该形成图案的方法包括：在第一区域和第二区域中在目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；在第一区域中形成第一光致抗蚀剂图案并在第二区域中形成第二光致抗蚀剂图案；通过将第一和第二光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层，形成包括多个开口的可逆硬掩模图案；通过用间隙填充硬掩模图案材料填充形成所述多个开口中的形成在第一区域中的开口，形成间隙填充硬掩模图案；以及通过在第一区域中将间隙填充硬掩模图案的形状转印到目标层并在第二区域中将可逆硬掩模图案的形状转印到目标层，由目标层形成特征图案。

公开(公告)号：CN109427879A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811024895.7

申请日：2018-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金真范 ,  金奉秀 ,  李圭弼 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了包括二维材料的装置，所述装置包括：基底；第一电极，位于基底上；绝缘图案，位于基底上；第二电极，位于绝缘图案的上端上；二维(2D)材料层，位于绝缘图案的侧表面上；栅极绝缘层，覆盖2D材料层；以及栅电极，接触栅极绝缘层。绝缘图案在与基底基本垂直的方向上从第一电极延伸。2D材料层包括与绝缘图案的侧表面基本平行的至少一个原子层的2D材料。