公开(公告)号：CN110190109B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910039205.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学研究与商业基金会

Inventor： 金真范 ,  金亨燮 ,  崔成钦 ,  金镇用 ,  朴台镇 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。

公开(公告)号：CN110190109A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910039205.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学研究与商业基金会

Inventor： 金真范 ,  金亨燮 ,  崔成钦 ,  金镇用 ,  朴台镇 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。