公开(公告)号：CN109494157A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811062733.2

申请日：2018-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  李商文 ,  金利桓 ,  宋宇彬 ,  申东石 ,  李承烈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66818 ,  H01L21/28132 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。

公开(公告)号：CN104425492A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410442976.4

申请日：2014-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  李明宰 ,  李商文 ,  李成训 ,  赵成豪

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体器件及其制造方法。在互补金属氧化物半导体器件中，缓冲层处于硅衬底上，包含第Ⅲ-Ⅴ主族材料的第一层处于缓冲层上。包含第Ⅳ主族材料的第二层处于缓冲层或硅衬底上，且第二层与第一层间隔开。

公开(公告)号：CN104103675A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310520285.7

申请日：2013-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商文 ,  曹永真 ,  李明宰

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/205 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供了一种衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件。该衬底结构包括：衬底；成核层，形成在衬底上并且包括具有与衬底的晶格常数相差小于1%的晶格常数的III-V族化合物半导体材料；以及缓冲层，形成在成核层上并且包括第一层和第二层，其中，第一层和第二层包括具有比成核层的晶格常数大4%或更大的晶格常数的III-V族化合物半导体材料。

公开(公告)号：CN103094320A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210344919.3

申请日：2012-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商文 ,  申在光 ,  曹永真

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/785 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供包括III-V族材料的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：硅基板，包括孔；硬掩模，在基板上围绕孔形成；第一材料层，填充在孔内并形成在硬掩模上；上材料层，形成在第一材料层上；和器件层，形成在上材料层上，其中第一材料层是III-V族材料层。III-V族材料层可以是III-V族化合物半导体层。上材料层可以是第一材料层的一部分。上材料层可以使用与第一材料层相同的材料或不同的材料形成。

公开(公告)号：CN118053894A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311492014.5

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  金真范 ,  李商文 ,  金东宇 ,  金成玟 ,  南勇准 ,  黄仁建

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上在第一方向上延伸；沟道层，布置在有源图案上；栅极结构，与有源图案交叉并且围绕所述多个沟道层，栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及源极/漏极区，在栅极结构的两侧设置在有源图案上并且包括第一外延层和第二外延层，第一外延层连接到多个沟道层的侧表面中的每个，第二外延层设置在第一外延层上并且具有与第一外延层的组成不同的组成。所述多个沟道层的侧表面中的每个具有(111)晶面或(100)晶面。第一外延层在第二方向上延伸并且在第一方向上具有基本上恒定的第一厚度。

公开(公告)号：CN109427907B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201810985594.4

申请日：2018-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商文 ,  金正泽 ,  金利桓 ,  宋宇彬 ,  申东石 ,  李承烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；有源图案，与衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中有源图案的下部在第一方向上延伸并包括相对于衬底的上表面倾斜的第一下表面。

公开(公告)号：CN115911044A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210442733.5

申请日：2022-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范琎 ,  金孝珍 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李商文 ,  金洞院 ,  赵槿汇

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，设置在衬底上并且沿第一方向延伸；一对源/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；多个沟道层，在一对源/漏极图案之间在有源图案上竖直地堆叠并且彼此间隔开；栅电极，在一对源/漏极图案之间沿第二方向延伸，栅电极设置在有源图案上并且围绕多个沟道层，并且第二方向与第一方向相交；以及栅极间隔物，设置在多个沟道层之间并且设置在栅电极与一对源/漏极图案之间。栅极间隔物包括交替地堆叠在一对源/漏极图案的侧壁上的多个第一间隔物图案和多个第二间隔物图案。

公开(公告)号：CN112017965A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010360788.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  李承勋 ,  金茶惠 ,  慎一揆 ,  李商文 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成有源图案，有源图案包括交替地堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案；在有源图案的顶表面和侧壁上形成盖图案；在盖图案上执行沉积工艺以形成绝缘层；以及在绝缘层上形成与有源图案交叉的牺牲栅极图案。盖图案具有晶体结构并且与第一半导体图案的侧壁和第二半导体图案的侧壁物理接触。

公开(公告)号：CN102637794A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210032437.4

申请日：2012-02-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 李商文 ,  尹义埈 ,  朴珍燮 ,  朴成铉

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。

公开(公告)号：CN119789453A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411837087.8

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  李承勋 ,  金茶惠 ,  慎一揆 ,  李商文 ,  崔庆寅

IPC: H10D30/01 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，从衬底突出并包括多个堆叠的半导体图案；栅极图案，设置在有源图案上并与有源图案交叉；栅极绝缘图案，在有源图案和栅极图案之间；栅极间隔物，在栅极图案的侧部处并且在有源图案上；以及盖图案，设置在有源图案和栅极间隔物之间并与有源图案物理接触，其中盖图案具有晶体结构。