公开(公告)号：CN105185712A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510220856.4

申请日：2015-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B.J.奥布雷多维克 ,  R.C.鲍恩 ,  M.S.罗德

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明涉及包括鳍式场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法。提供形成鳍式FET的方法。所述方法可包括：在基底上形成包括铟(In)的鳍状沟道区，在所述基底上形成邻近于所述沟道区的深源/漏区，以及在所述沟道区和所述深源/漏区之间形成源/漏延伸区。所述源/漏延伸区的相反的侧壁可分别接触所述沟道区和所述深源/漏区，和所述源/漏延伸区可包括InyGa1-yAs，和y在约0.3-约0.5的范围内。

公开(公告)号：CN105185712B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201510220856.4

申请日：2015-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B.J.奥布雷多维克 ,  R.C.鲍恩 ,  M.S.罗德

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明涉及包括鳍式场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法。提供形成鳍式FET的方法。所述方法可包括：在基底上形成包括铟(In)的鳍状沟道区，在所述基底上形成邻近于所述沟道区的深源/漏区，以及在所述沟道区和所述深源/漏区之间形成源/漏延伸区。所述源/漏延伸区的相反的侧壁可分别接触所述沟道区和所述深源/漏区，和所述源/漏延伸区可包括InyGa1‑yAs，和y在约0.3‑约0.5的范围内。

公开(公告)号：CN104347714B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201410369450.8

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B.J.奥布拉多维克 ,  M.S.罗德 ,  J.A.基特尔 ,  R.C.鲍恩 ,  R.M.哈彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种鳍型场效应晶体管(finFET)装置可以包括具有最佳深度的源/漏极接触凹陷，超过该最佳深度则在通过增大的深度提供的凹陷中的源/漏极接触的水平部分的扩展电阻值增加的减小量可以小于由于在增大的深度下源/漏极接触的垂直部分增大导致的总电阻增加的增大量。

公开(公告)号：CN104517857B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201410505130.0

申请日：2014-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B.J.奥布拉多维克 ,  R.C.鲍恩 ,  M.S.罗德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了包括鳍形场效应晶体管(finFET)的集成电路器件及其形成方法。该方法可以包括：在基板上形成包括锗的鳍形沟道区；以及在基板上形成邻近沟道区的源/漏区域。该方法还可以包括形成接触沟道区的侧壁和源/漏区域的侧壁的阻挡层，阻挡层可以包括SixGe1‑x，并且x可以在约0.05至约0.2的范围内。

公开(公告)号：CN104517857A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410505130.0

申请日：2014-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B.J.奥布拉多维克 ,  R.C.鲍恩 ,  M.S.罗德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了包括鳍形场效应晶体管(finFET)的集成电路器件及其形成方法。该方法可以包括：在基板上形成包括锗的鳍形沟道区；以及在基板上形成邻近沟道区的源/漏区域。该方法还可以包括形成接触沟道区的侧壁和源/漏区域的侧壁的阻挡层，阻挡层可以包括SixGe1-x，并且x可以在约0.05至约0.2的范围内。

公开(公告)号：CN104347714A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410369450.8

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： B.J.奥布拉多维克 ,  M.S.罗德 ,  J.A.基特尔 ,  R.C.鲍恩 ,  R.M.哈彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L29/785

Abstract: 一种鳍型场效应晶体管(finFET)装置可以包括具有最佳深度的源/漏极接触凹陷，超过该最佳深度则在通过增大的深度提供的凹陷中的源/漏极接触的水平部分的扩展电阻值增加的减小量可以小于由于在增大的深度下源/漏极接触的垂直部分增大导致的总电阻增加的增大量。