像素型半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN110391265B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN201910211266.3

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法,所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上,并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上,并且填充多个像素空间中的每个。

    发光装置封装件
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109244064B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN201810722265.0

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 一种发光装置封装件包括:多个发光芯片,所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光,每个芯片包括位于所述芯片的底部处的电极,以形成倒装芯片结构;多条布线,所述多条布线分别直接连接到所述芯片的电极;多个电极焊盘,所述多个电极焊盘设置在所述芯片下方并分别直接连接到所述布线;以及模制构件,所述模制构件以单层结构一体形成以覆盖所述芯片的上表面和侧表面,并且包括具有预定透射率的半透明材料,其中,所述布线设置在所述模制构件的下表面下方。

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