公开(公告)号：CN102403430B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110276450.X

申请日：2011-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄省元 ,  高建宇 ,  沈成铉 ,  郑薰在 ,  成汉珪 ,  孙哲守 ,  李镇贤 ,  高炯德

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L29/78684 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046

Abstract: 提供了一种石墨烯发光装置及其制造方法。石墨烯发光装置包括：掺杂有p型掺杂剂的p型石墨烯；掺杂有n型掺杂剂的n型石墨烯；以及布置于p型石墨烯和n型石墨烯之间并发光的活性石墨烯，其中，p型石墨烯、n型石墨烯和活性石墨烯水平放置。

公开(公告)号：CN103247730A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310034044.1

申请日：2013-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄省元 ,  高建宇 ,  沈成铉 ,  金定燮 ,  郑薰在 ,  孙哲守

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016 ,  Y10S977/734

Abstract: 本发明公开了一种紫外发光二极管及其制造方法，所述紫外发光二极管包括：n型半导体层；布置在所述n型半导体层上的有源层；布置在所述有源层上并且由p型AlGaN形成的p型半导体层；以及布置在所述p型半导体层上并且由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成的p型石墨烯层。所述紫外发光二极管通过降低与p型半导体层的接触电阻并使得紫外线透射率最大化而具有提高的发光效率。