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公开(公告)号：CN1125376C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN98120040.0
申请日：1998-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67028 , G03F7/30 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供制造半导体器件的显影系统，包括：容器，用于装显影剂，上侧有一供晶片通过的开孔，下侧有一排放口；晶片传送器，可将晶片图形表面的背面朝下吸附，将晶片装入或取出容器；显影剂提供元件，在容器中提供显影剂，将晶片图形表面浸在显影剂中；一漂洗剂提供元件，向容器中提供漂洗剂，向晶片图形表面上喷射漂洗剂；清洗剂提供元件，向容器中提供清洗剂，除去保留在容器中的显影剂和漂洗剂；气体提供元件，向容器中提供气体，通过高压气体除去保留在容器中的清洗剂。
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公开(公告)号：CN1089487C
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN97111265.7
申请日：1997-05-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67781
Abstract: 本发明涉及半导体晶片未测试电阻之前，对晶片进行热处理的装置。该热处理装置包括：一种半导体晶片的热处理装置，用该装置对半导体晶片进行成批热处理，其包括：一个带加热室、等待室及与其连为一体的盒体台面的工作台；一个放在所述加热室中装有晶片的加热盘；一个在等待室和加热室之间移动的加热盘输送装置，用于输送所述的加热盘；用于将盒体中的晶片送至所述加热盘的晶片装料机构；用于将加热盘中的晶片卸出放到盒体中的晶片卸料机构；设在加热室和等待室之间的加热门，和设在等待室和盒体台面之间的前门。
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公开(公告)号：CN1087445C
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN97113629.7
申请日：1997-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/30
CPC classification number: G03F7/3021
Abstract: 一种用于半导体器件制备的显影设备，包括工作台，装在工作台上并装有适量显影液的容器，装在容器上方、固定已曝光晶片底面的旋转盘，使旋转盘转动的驱动电机，使旋转盘垂直传动以使晶片在容器中上下移动的垂直驱动器，使旋转盘和垂直驱动器转动一定角度以使晶片的图案形成面有选择地转向上或转向下的翻转驱动器，提供适量显影液到容器中的显影液供应器，以及喷洒清洗液到晶片的图案形成面上的清洗液供应器。
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公开(公告)号：CN1183580A
公开(公告)日：1998-06-03
申请号：CN97113629.7
申请日：1997-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/30
CPC classification number: G03F7/3021
Abstract: 一种用于半导体器件制备的显影设备,包括工作台,装在工作台上并装有适量显影液的容器,装在容器上方、固定已曝光晶片底面的旋转盘,使旋转盘转动的驱动电机,使旋转盘垂直传动以使晶片在容器中上下移动的垂直驱动器,使旋转盘和垂直驱动器转动一定角度以使晶片的图案形成面有选择地转向上或转向下的翻转驱动器,提供适量显影液到容器中的显影液供应器,以及喷洒清洗液到晶片的图案形成面上的清洗液供应器。
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公开(公告)号：CN110911372B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201910874908.8
申请日：2019-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括芯片区域和芯片区域周围的边缘区域；半导体衬底上的下绝缘层；芯片区域上的下绝缘层上的芯片焊盘；设置在下绝缘层上以覆盖芯片焊盘的上绝缘层，上绝缘层和所述下绝缘层包括不同的材料；以及，在芯片区域上并连接到芯片焊盘的再分布芯片焊盘。上绝缘层包括在芯片区域上具有第一厚度的第一部分，在边缘区域上具有第二厚度的第二部分，以及在边缘区域上的第三部分，第三部分从第二部分延伸、与第一部分间隔开，并且具有远离第二部分而减小的厚度。第二厚度小于第一厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109244064B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201810722265.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62
Abstract: 一种发光装置封装件包括：多个发光芯片，所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光，每个芯片包括位于所述芯片的底部处的电极，以形成倒装芯片结构；多条布线，所述多条布线分别直接连接到所述芯片的电极；多个电极焊盘，所述多个电极焊盘设置在所述芯片下方并分别直接连接到所述布线；以及模制构件，所述模制构件以单层结构一体形成以覆盖所述芯片的上表面和侧表面，并且包括具有预定透射率的半透明材料，其中，所述布线设置在所述模制构件的下表面下方。
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公开(公告)号：CN110911372A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910874908.8
申请日：2019-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括芯片区域和芯片区域周围的边缘区域；半导体衬底上的下绝缘层；芯片区域上的下绝缘层上的芯片焊盘；设置在下绝缘层上以覆盖芯片焊盘的上绝缘层，上绝缘层和所述下绝缘层包括不同的材料；以及，在芯片区域上并连接到芯片焊盘的再分布芯片焊盘。上绝缘层包括在芯片区域上具有第一厚度的第一部分，在边缘区域上具有第二厚度的第二部分，以及在边缘区域上的第三部分，第三部分从第二部分延伸、与第一部分间隔开，并且具有远离第二部分而减小的厚度。第二厚度小于第一厚度。
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公开(公告)号：CN109244064A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810722265.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 一种发光装置封装件包括：多个发光芯片，所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光，每个芯片包括位于所述芯片的底部处的电极，以形成倒装芯片结构；多条布线，所述多条布线分别直接连接到所述芯片的电极；多个电极焊盘，所述多个电极焊盘设置在所述芯片下方并分别直接连接到所述布线；以及模制构件，所述模制构件以单层结构一体形成以覆盖所述芯片的上表面和侧表面，并且包括具有预定透射率的半透明材料，其中，所述布线设置在所述模制构件的下表面下方。
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公开(公告)号：CN105009307A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010929.0
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供了一种制造纳米结构的半导体发光元件的方法，根据本发明的一方面的该方法包括步骤：在基层上形成具有多个开口的掩模；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体层来形成多个纳米芯，以填充其上的多个开口；部分地去除掩模，以暴露出多个纳米芯的侧部；在部分地去除掩模之后对多个纳米芯进行热处理；在热处理之后，通过在多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成多个纳米发光结构；以及对多个纳米发光结构的上端进行平坦化，以暴露出纳米芯的上表面。
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