公开(公告)号：CN120035165A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202410780055.2

申请日：2024-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成锡 ,  金桑贤 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  朴俊赫 ,  吴在浚 ,  李政昱

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括：沟道层；阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道层上并且包括与所述沟道层中包括的材料比具有不同的能带隙的材料；栅电极，所述栅电极位于所述阻挡层上；栅极半导体层，所述栅极半导体层位于所述阻挡层与所述栅电极之间；保护层，所述保护层位于所述阻挡层和所述栅电极上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述栅电极的两侧并且延伸穿过所述保护层，以覆盖所述沟道层和所述阻挡层的侧表面；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述保护层内，覆盖所述阻挡层和所述栅电极并且包括氮。

公开(公告)号：CN116581221A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310039587.6

申请日：2023-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李性郁 ,  皇甫秀珉 ,  金桑贤 ,  金有正 ,  李政昱 ,  崔慜煜

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了一种半导体发光装置和一种发光装置组件。该半导体发光装置包括：基础层；发光结构，其包括具有第一导电性的第一半导体层、有源层、和具有与第一导电性不同的第二电导率的第二半导体层；发光结构上的波长转换层；分离壁，其设置为邻近于波长转换层的侧表面；第一电极金属层，其在第一半导体层的下表面上，第一电极金属层包括反射结构；以及第二电极金属层，其经由穿过第一电极金属层、第一半导体层和有源层并且暴露第二半导体层的通孔电连接至第二半导体层，其中，半导体发光装置被配置为基于调整第二半导体层的上表面上的发光结构、反射结构、分离壁和发光结构中包括的结构中的至少一个在第一方向上实施渐变。

公开(公告)号：CN109427944A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810971336.0

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政昱 ,  高建宇 ,  崔繁在 ,  韩在镐

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明构思涉及一种发光封装及包括其的发光模块。一种发光封装包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的发光结构。该发光封装还包括设置在第一表面上的电极层以及设置在发光结构和电极层上的绝缘层。该发光封装还包括穿透绝缘层并连接到电极层的互连导电层以及设置在绝缘层与互连导电层之间的反射层。反射层在朝向第二表面的方向上反射从发光结构产生的光。

公开(公告)号：CN110391265A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910211266.3

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权容旻 ,  高建宇 ,  李政昱 ,  李宗炫 ,  崔繁在

IPC: H01L27/15

Abstract: 提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且填充多个像素空间中的每个。

公开(公告)号：CN104341529A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410363385.8

申请日：2014-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑光镐 ,  李承炫 ,  高荣晙 ,  金罠京 ,  黄载雄 ,  赵美英 ,  李政昱 ,  林柏玮

IPC: C07K19/00 ,  C12N15/62 ,  A61K39/395 ,  A61K47/48 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明涉及双特异性嵌合蛋白，其包括经设计的锚蛋白重复蛋白(DARPin)，以及与所述DARPin相连的IgG抗体，scFv-Fc抗体片段，或其组合；用其治疗或预防癌症的方法，以及相关的方法和组合物。

公开(公告)号：CN110391265B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201910211266.3

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权容旻 ,  高建宇 ,  李政昱 ,  李宗炫 ,  崔繁在

IPC: H01L27/15

Abstract: 提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且填充多个像素空间中的每个。

公开(公告)号：CN104341529B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201410363385.8

申请日：2014-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑光镐 ,  李承炫 ,  高荣晙 ,  金罠京 ,  黄载雄 ,  赵美英 ,  李政昱 ,  林柏玮

IPC: C07K19/00 ,  C12N15/62 ,  A61K39/395 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明涉及双特异性嵌合蛋白，其包括经设计的锚蛋白重复蛋白(DARPin)，以及与所述DARPin相连的IgG抗体，scFv‑Fc抗体片段，或其组合；用其治疗或预防癌症的方法，以及相关的方法和组合物。

公开(公告)号：CN103788212A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310529748.6

申请日：2013-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金罠京 ,  李政昱 ,  黄修晶 ,  李在日

IPC: C07K19/00 ,  C12N15/62 ,  C07K16/46 ,  A61K39/395 ,  A61P35/00 ,  A61P37/00 ,  A61P31/12 ,  A61P37/06

CPC classification number: C07K16/468 ,  C07K16/22 ,  C07K16/2863 ,  C07K2317/569 ,  C07K2319/50

Abstract: 本发明提供了双特异性抗原结合蛋白复合物，双特异性抗体,制备所述双特异性抗体的方法和所述双特异性抗体的药物用途。应用根据本发明一个方面的蛋白复合物，有可能有效制得识别两种抗原、或相同抗原上两种表位的双特异性抗体。所述双特异性抗体可以用于诊断、预防和/或治疗诸如细胞增生性疾病或免疫性疾病之类的疾病。