公开(公告)号：CN102244172B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110124931.9

申请日：2011-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高炯德 ,  杨丁子 ,  金裕承 ,  成演准 ,  郑守珍 ,  金大天 ,  李秉权

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括发光结构和图案。发光结构包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。图案形成在所述发光结构的表面中的至少一个光出射表面上。所述图案具有形状相似的多个凸起部件或凹进部件。上面形成有所述图案的所述光出射表面具有多个虚拟参考区域，参考区域尺寸相同并以规则的方式布置。凸起部件或凹进部件设置在参考区域中，使得凸起部件或凹进部件的边缘的一部分与所述多个虚拟参考区域中的一个虚拟参考区域的轮廓线接触。

公开(公告)号：CN103187425A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210580141.6

申请日：2012-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申永澈 ,  高炯德

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件和发光二极管模块。所述半导体发光器件包括半导体层压板，所述半导体层压板包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层以及在它们之间形成的有源层，并且将所述半导体层压板分成第一区域和第二区域。在所述第一区域上形成至少一个接触孔并且所述接触孔穿过所述有源层连接至所述第一导电类型半导体层的一部分。形成第一电极以通过所述至少一个接触孔连接至所述第一区域的第一导电类型半导体层并且连接至所述第二区域的第二导电类型半导体层。形成第二电极并将其连接至所述第一区域的第二导电类型半导体层。形成第一电极焊盘和第二电极焊盘以及支撑衬底。

公开(公告)号：CN102403430B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110276450.X

申请日：2011-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄省元 ,  高建宇 ,  沈成铉 ,  郑薰在 ,  成汉珪 ,  孙哲守 ,  李镇贤 ,  高炯德

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L29/78684 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046

Abstract: 提供了一种石墨烯发光装置及其制造方法。石墨烯发光装置包括：掺杂有p型掺杂剂的p型石墨烯；掺杂有n型掺杂剂的n型石墨烯；以及布置于p型石墨烯和n型石墨烯之间并发光的活性石墨烯，其中，p型石墨烯、n型石墨烯和活性石墨烯水平放置。