公开(公告)号：CN114649363A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111507816.X

申请日：2021-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基源 ,  高建宇 ,  金仁皥 ,  李性郁 ,  李宗炫 ,  崔炳喆

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62

Abstract: 提供了一种半导体发光装置。半导体发光装置包括：多个发光结构，所述多个发光结构中的每一个包括第一表面和第二表面，多个压花部设置在第一表面上；分隔壁结构，其设置在多个发光结构的第一表面上，并且包括限定多个像素空间的多个分隔壁；以及荧光体层，其设置在多个像素空间中。分隔壁结构的底表面接触多个压花部。

公开(公告)号：CN116581221A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310039587.6

申请日：2023-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李性郁 ,  皇甫秀珉 ,  金桑贤 ,  金有正 ,  李政昱 ,  崔慜煜

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了一种半导体发光装置和一种发光装置组件。该半导体发光装置包括：基础层；发光结构，其包括具有第一导电性的第一半导体层、有源层、和具有与第一导电性不同的第二电导率的第二半导体层；发光结构上的波长转换层；分离壁，其设置为邻近于波长转换层的侧表面；第一电极金属层，其在第一半导体层的下表面上，第一电极金属层包括反射结构；以及第二电极金属层，其经由穿过第一电极金属层、第一半导体层和有源层并且暴露第二半导体层的通孔电连接至第二半导体层，其中，半导体发光装置被配置为基于调整第二半导体层的上表面上的发光结构、反射结构、分离壁和发光结构中包括的结构中的至少一个在第一方向上实施渐变。