公开(公告)号：CN110739266A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910653663.6

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶根 ,  朴在花 ,  金埈宽 ,  文孝贞 ,  朴承钟 ,  裵涩琪

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。

公开(公告)号：CN114582868A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111305971.3

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩英 ,  金度亨 ,  金泽中 ,  朴承钟 ,  朴在花 ,  赵润宰

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了半导体器件，所述器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离膜和由所述元件隔离膜限定的有源区；字线，所述字线在第一方向上与所述有源区交叉；以及位线结构，所述位线结构位于所述衬底上并连接到所述有源区，所述位线结构在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，其中，所述位线结构包括包含非晶材料或钌的第一单元互连膜、位于所述第一单元互连膜上并沿着所述第一单元互连膜延伸并包含钌的第二单元互连膜以及位于所述第二单元互连膜上并沿着所述第二单元互连膜延伸的单元覆盖膜。

公开(公告)号：CN110739266B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910653663.6

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶根 ,  朴在花 ,  金埈宽 ,  文孝贞 ,  朴承钟 ,  裵涩琪

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。