公开(公告)号：CN101236902B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200810004908.4

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  罗圭泰 ,  金注完 ,  金泽中

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337

Abstract: 去除部分氧化物层的方法包括：通过使反应气与氧化物层反应形成第一副产物，该反应气包含氟和氮，使该反应气与第一副产物反应形成第二副产物，以及去除第二副产物。

公开(公告)号：CN101236902A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810004908.4

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  罗圭泰 ,  金注完 ,  金泽中

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337

Abstract: 去除部分氧化物层的方法包括：通过使反应气与氧化物层反应形成第一副产物，该反应气包含氟和氮，使该反应气与第一副产物反应形成第二副产物，以及去除第二副产物。

公开(公告)号：CN101236954A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810005304.1

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许元九 ,  朴栋均 ,  朴济宪 ,  曹永周 ,  罗圭泰

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/11521

Abstract: 一种半导体装置的配线结构，所述半导体装置的配线结构包括绝缘间层、插塞和导电图案。绝缘间层在基板上具有穿过其的开口。插塞包括钨并填充开口。插塞通过利用源气体的反应的沉积过程而形成。导电图案结构与插塞接触，并且包括第一钨层图案和第二钨层图案。第一钨层图案通过沉积过程形成。第二钨层图案通过物理气相沉积(PVD)过程形成。