公开(公告)号：CN101567382A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910135403.6

申请日：2009-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。

公开(公告)号：CN103633093B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN101499488B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W-Ni合金薄层。该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。

公开(公告)号：CN118943171A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410565769.1

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴京恩 ,  郭率美 ,  金振赫 ,  金亨珍 ,  成玎镛 ,  申旻树 ,  辛承俊 ,  申重植 ,  郑圣熙 ,  韩智勋

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H10B80/00

Abstract: 一种垂直存储器件可以包括：在基板上的公共源极板，包括第一区域和第二区域；栅极图案结构，在公共源极板上并从第一区域延伸到第二区域，其中栅极图案结构包括栅极图案和第一绝缘层，其中相邻的栅极图案结构彼此间隔开；第一分隔图案，填充在第一区域上在相邻的栅极图案结构之间的第一开口；第二分隔图案，填充在第二区域上在相邻的栅极图案结构之间的第二开口，其中第二分隔图案中的至少一个连接到第一分隔图案中的至少一个，以及其中第二分隔图案具有与第一分隔图案的形状不同的形状；以及沟道结构，穿过在第一区域上的栅极图案结构。

公开(公告)号：CN103633093A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN103178098A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310054345.0

申请日：2009-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。

公开(公告)号：CN101499488A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W－Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W－Ni合金薄层。该W－Ni合金薄层中Ni的重量在该W－Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。

公开(公告)号：CN117769253A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311231133.5

申请日：2023-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣熙 ,  金亨珍 ,  申重植 ,  韩智勋

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  G11C5/06

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件包括：源极结构，包括板层和依次堆叠在板层上的第一和第二水平导电层；栅电极，在垂直于源极结构的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，穿透栅电极，在第一方向上延伸，并包括与第一水平导电层接触的沟道层；以及穿透栅电极并在第一方向上和在垂直于第一方向的第二方向上延伸的分离区，其中第一水平导电层在分离区下方水平延伸并具有在第一方向上与分离区重叠的接缝。

公开(公告)号：CN114446992A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111280096.8

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承允 ,  成玎镛 ,  千相勋 ,  金智焕 ,  郑圣熙 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种半导体器件，包括：图案结构；堆叠结构，包括在所述图案结构上在第一区域中堆叠并延伸到第二区域中的栅极层；存储器竖直结构，在所述第一区域中穿透所述堆叠结构；栅极接触插塞，在所述第二区域中电连接到所述栅极层；以及第一外围接触插塞，与所述栅极层间隔开，所述栅极层包括第一栅极层，所述栅极接触插塞包括电连接到所述第一栅极层的第一栅极接触插塞，所述第一栅极接触插塞和所述第一外围接触插塞的侧表面具有不同数量的上弯曲部，并且所述第一栅极接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量大于所述第一外围接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量。

公开(公告)号：CN101567382B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910135403.6

申请日：2009-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。