公开(公告)号：CN103633093A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN103633093B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN115799215A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210811414.7

申请日：2022-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡敎锡 ,  孔东植 ,  朴英郁 ,  金志勋 ,  白明铉 ,  魏胄滢 ,  李准范

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L27/105 ,  H10B99/00

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件可以包括在其中具有在第一方向上延伸的凹槽的衬底、在凹槽中的栅极绝缘层、在凹槽中并且在栅极绝缘层上的第一导电图案、以及在凹槽中并且在第一导电图案上的字线盖图案。第一导电图案可以包括第一材料，并且可以包括与字线盖图案相邻的第一导电部分和与凹槽的底端相邻的第二导电部分。第一导电部分的第一材料的晶粒的最大尺寸可以等于或大于第二导电部分的第一材料的晶粒的最大尺寸。