公开(公告)号：CN115732547A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210859821.5

申请日：2022-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在珍 ,  金莹俊 ,  朴薰荣 ,  尹泰景 ,  李殷沃

IPC: H01L29/423 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开涉及一种栅极结构，包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

公开(公告)号：CN110468389B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201910112028.7

申请日：2019-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善龙 ,  金贤洙 ,  李殷沃 ,  金泽中 ,  卢孝贞 ,  柳志元

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种沉积设备。所述沉积设备包括：反应腔室，包括上板和容器主体，上板包括用于注入处理气体的气体供应件；晶圆卡盘，包括用于在其上装载晶圆的上表面，位于反应腔室中，并且晶圆卡盘的上表面面对上板；以及处理气体遮蔽部，在晶圆从晶圆卡盘去除的状态下，防止处理气体被吸附到晶圆卡盘的上表面并且设置在上板和晶圆卡盘之间。处理气体遮蔽部包括板状的挡板，挡板包括具有用于朝向晶圆卡盘喷射吹扫气体的气体排放部分的区域。

公开(公告)号：CN116759449A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202211496039.8

申请日：2022-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹泰景 ,  金莹俊 ,  朴薰莹 ,  李殷沃 ,  李在珍 ,  张东珠

IPC: H01L29/423

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成限定有源区的器件隔离层，并且形成与有源区相交并掩埋在衬底中的栅极线。栅极线的形成包括：在衬底中形成与有源区交叉的沟槽，形成填充沟槽的导电层，并且对导电层执行热处理工艺。导电层包括第一金属的氮化物。导电层中的氮原子通过热处理工艺朝向导电层的侧表面和下表面扩散。

公开(公告)号：CN110468389A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910112028.7

申请日：2019-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善龙 ,  金贤洙 ,  李殷沃 ,  金泽中 ,  卢孝贞 ,  柳志元

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种沉积设备。所述沉积设备包括：反应腔室，包括上板和容器主体，上板包括用于注入处理气体的气体供应件；晶圆卡盘，包括用于在其上装载晶圆的上表面，位于反应腔室中，并且晶圆卡盘的上表面面对上板；以及处理气体遮蔽部，在晶圆从晶圆卡盘去除的状态下，防止处理气体被吸附到晶圆卡盘的上表面并且设置在上板和晶圆卡盘之间。处理气体遮蔽部包括板状的挡板，挡板包括具有用于朝向晶圆卡盘喷射吹扫气体的气体排放部分的区域。