公开(公告)号：CN109801845A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811327957.1

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹健浩 ,  金大中 ,  金在文 ,  朴文汉 ,  车泰昊 ,  韩在钟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底突出并沿第一方向延伸的鳍型图案；在衬底上形成覆盖鳍型图案的有限部分的场绝缘层，使得场绝缘层露出鳍型图案的另外的有限部分；在场绝缘层和鳍型图案上形成栅极结构，栅极结构沿第二方向延伸，第二方向与第一方向不同；在场绝缘层的第一区域中形成包含氮元素的第一阻挡层，其中，第一区域由栅极结构露出，第一区域与栅极结构相邻并沿第二方向延伸；在第一阻挡层上和在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔物。

公开(公告)号：CN101567382B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910135403.6

申请日：2009-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。

公开(公告)号：CN101499488B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W-Ni合金薄层。该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。

公开(公告)号：CN103178098A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310054345.0

申请日：2009-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。

公开(公告)号：CN101499488A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W－Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W－Ni合金薄层。该W－Ni合金薄层中Ni的重量在该W－Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。

公开(公告)号：CN101567382A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910135403.6

申请日：2009-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。