-
公开(公告)号：CN115734616A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211002748.6
申请日：2022-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：下阶梯连接部，在衬底上位于第一竖直高度处；上阶梯连接部，在衬底上位于高于第一竖直高度的第二竖直高度处；下绝缘块，在第一竖直高度处接触多个下导电焊盘部中的每一个；上绝缘块，在第二竖直高度处接触多个上导电焊盘部中的每一个；中间绝缘膜，在第一竖直高度和第二竖直高度之间的第三竖直高度处在下绝缘块和上绝缘块之间；以及第一插塞结构，沿竖直方向延伸到下阶梯连接部、中间绝缘膜和上绝缘块中，其中，第一插塞结构在水平方向上的宽度在第三竖直高度处最大。
-
公开(公告)号：CN113327932A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011551292.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 辛承俊
IPC: H01L27/11575 , H01L27/1157
Abstract: 提供了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括单元堆叠结构、布线连接结构和第一绝缘中间层。单元堆叠结构可以包括重复且交替地堆叠在基底的第一区域上的绝缘层和栅极图案。布线连接结构可以接触单元堆叠结构的侧壁。布线连接结构可以包括具有台阶形状的一侧的第一阶梯结构、具有台阶形状的一侧且设置在第一阶梯结构下方的第二阶梯结构以及位于第一阶梯结构与第二阶梯结构之间的第一虚设阶梯结构。第一阶梯结构和第二阶梯结构可以在第一方向上彼此间隔开，第一虚设阶梯结构的第一方向上的两侧可以具有台阶形状。第一绝缘中间层可以位于基底上以覆盖布线连接结构。
-
公开(公告)号：CN109273448A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810725247.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/3213 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L29/41775 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L27/11521 , H01L27/11568
Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极，沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括在垂直于第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开的子栅电极以及将其中的子栅电极彼此连接的至少一个栅极连接部；通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极；以及虚设通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极，虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括栅极连接部的区域中布置在第一虚设通道之间的第二虚设通道。
-
公开(公告)号：CN109273448B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810725247.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极，沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括在垂直于第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开的子栅电极以及将其中的子栅电极彼此连接的至少一个栅极连接部；通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极；以及虚设通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极，虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括栅极连接部的区域中布置在第一虚设通道之间的第二虚设通道。
-
公开(公告)号：CN117896984A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310698983.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；以及连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分。第一存储器部分的最小宽度小于第一贯通部分的最小宽度和第一连接部分的最小宽度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115705647A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210250972.0
申请日：2022-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T7/10 , G06V10/764 , G06V10/762 , G06V10/82 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/044 , G06N3/08
Abstract: 公开了图像分割方法及装置。所述图像分割装置从输入图像提取特征数据，使用分类器层从特征数据计算一个或多个类别图，使用聚类层从特征数据计算一个或多个聚类图，并且使用一个或多个类别图和一个或多个聚类图生成图像分割数据。
-
公开(公告)号：CN111354740A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910870055.0
申请日：2019-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582
Abstract: 竖直存储器装置包括具有单元阵列区域和围绕单元阵列区域的阶梯区域的衬底、位于单元阵列区域和阶梯区域上的栅电极、以及位于单元阵列区域上的沟道。栅电极在第一方向和第三方向上彼此隔离开并且各自在第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过一个或更多个栅电极。多个栅电极中的第一栅电极在第二方向上的端部限定衬底的阶梯区域上的第二方向上的第一台阶和第三方向上的第二台阶，各第二台阶分别与相同水平高度处的各第一台阶连接。
-
公开(公告)号：CN111048519A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910890603.6
申请日：2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556
Abstract: 一种竖直存储器件包括具有单元阵列区和阶梯区的衬底。栅电极在第一方向和第三方向上彼此间隔开。沟道在单元阵列区上沿第一方向延伸穿过栅电极。每一个栅电极沿第二方向延伸。一个或多个栅电极在第二方向上的端部在衬底的阶梯区上形成第一阶梯结构。第一阶梯结构包括在第三方向上顺序设置的第一台阶、第二台阶和第三台阶。每一个第一台阶具有第一长度，第二台阶具有大于第一长度的第二长度，并且第三台阶具有大于第二长度的第三长度。
-
公开(公告)号：CN111048519B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201910890603.6
申请日：2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/27
Abstract: 一种竖直存储器件包括具有单元阵列区和阶梯区的衬底。栅电极在第一方向和第三方向上彼此间隔开。沟道在单元阵列区上沿第一方向延伸穿过栅电极。每一个栅电极沿第二方向延伸。一个或多个栅电极在第二方向上的端部在衬底的阶梯区上形成第一阶梯结构。第一阶梯结构包括在第三方向上顺序设置的第一台阶、第二台阶和第三台阶。每一个第一台阶具有第一长度，第二台阶具有大于第一长度的第二长度，并且第三台阶具有大于第二长度的第三长度。
-
公开(公告)号：CN118943171A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410565769.1
申请日：2024-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/08 , H10B80/00
Abstract: 一种垂直存储器件可以包括：在基板上的公共源极板，包括第一区域和第二区域；栅极图案结构，在公共源极板上并从第一区域延伸到第二区域，其中栅极图案结构包括栅极图案和第一绝缘层，其中相邻的栅极图案结构彼此间隔开；第一分隔图案，填充在第一区域上在相邻的栅极图案结构之间的第一开口；第二分隔图案，填充在第二区域上在相邻的栅极图案结构之间的第二开口，其中第二分隔图案中的至少一个连接到第一分隔图案中的至少一个，以及其中第二分隔图案具有与第一分隔图案的形状不同的形状；以及沟道结构，穿过在第一区域上的栅极图案结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.032 seconds)
