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公开(公告)号：CN115223997A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210397396.2
申请日：2022-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 可以提供一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：基板；在基板上的第一焊盘层和第二焊盘层；图案结构，包括在第一焊盘层上的第一开口和在第二焊盘层上的第二开口，并具有第一区域和第二区域；栅电极，在图案结构上并各自包括焊盘区；沟道结构，在第一区域中穿透栅电极；栅极接触插塞，通过每个栅电极的焊盘区电连接到栅电极并在垂直方向上延伸以穿过第一开口并且连接到第一焊盘层；源极接触插塞，在垂直方向上延伸、穿过第二开口并连接到第二焊盘层；以及源极连接图案，在图案结构下方并与源极接触插塞和第二焊盘层接触。
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公开(公告)号：CN117715428A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310874039.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体存储器装置和电子系统。半导体存储器装置包括第一衬底、外围电路结构、以及包括单元阵列区与单元阵列接触区的单元阵列结构。单元阵列结构包括第二衬底、包括第一堆叠结构和第二堆叠结构的堆叠结构、单元阵列区中的竖直沟道结构、以及单元阵列接触区中的单元接触插塞。单元接触插塞包括第一柱状部和第一突出部。在第一突出部的顶表面的水平处，第一宽度被给定为第一突出部的外周界处的最大直径。在第一堆叠结构和第二堆叠结构之间的界面的水平处，第二宽度被给定为竖直沟道结构的最大宽度。第一宽度大于第二宽度。
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公开(公告)号：CN114725114A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111573930.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , G11C11/40 , G11C16/04 , G11C16/10
Abstract: 公开了三维半导体存储器件和包括其的电子系统。所述三维半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和延伸区域；位于所述衬底上的外围电路结构，包括多个外围晶体管；堆叠结构，包括交替堆叠在所述外围电路结构上的层间电介质层和栅电极；接触，在所述延伸区域上穿透所述堆叠结构并与所述外围晶体管电连接，并包括突出部和竖直部，所述突出部接触所述多个栅电极中的一个栅电极的侧壁，所述竖直部穿透所述堆叠结构；以及电介质图案，介于所述竖直部和所述多个栅电极的相应的侧壁之间。每个所述电介质图案的顶表面和底表面分别与相邻的所述层间电介质层接触。
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公开(公告)号：CN118265300A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311328099.3
申请日：2023-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：外围电路结构，其包括外围电路和覆盖外围电路的第一绝缘结构；以及单元阵列结构，其接合到外围电路结构并且包括单元区域和连接区域，其中，单元阵列结构包括公共源极线层、在公共源极线层上的缓冲绝缘层、掩埋在缓冲绝缘层中的多个接触停止层、包括交替地层叠在缓冲绝缘层上的多个栅电极和多个绝缘层的单元层叠物、通过穿过单元层叠物而延伸到公共源极线层的多个单元沟道结构、各自连接到所述多个栅电极中的一个或多个的多个接触结构以及覆盖单元层叠物的第二绝缘结构。
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公开(公告)号：CN117440689A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310624659.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：外围电路结构，其包括电路、布线层和通路接触；板公共源极线，其覆盖所述外围电路结构；绝缘插塞，其穿过所述板公共源极线；横向绝缘间隔物，其位于所述外围电路结构与所述板公共源极线之间；存储堆叠结构，其包括位于所述板公共源极线上的栅极线；贯通接触，其穿过所述栅极线中的至少一条栅极线和所述绝缘插塞，所述贯通接触连接到所述通路接触中的第一通路接触；以及源极线接触，其穿过所述横向绝缘间隔物，所述源极线接触位于所述通路接触中的第二通路接触与所述板公共源极线之间，其中，在横向方向上所述第一通路接触的宽度大于所述绝缘插塞的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115589726A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210846720.4
申请日：2022-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；栅电极，其在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，其穿透栅电极，在第一方向上延伸，并且各自包括沟道层；分离区，其穿透栅电极，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此分离开；以及裂纹防止层，其设置在分离区的至少一部分上，其中，分离区中的每一个包括下区和上区，上区在下区上在第二方向上彼此分离开并且从下区向上突出，并且其中，裂纹防止层接触上区的上表面。
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公开(公告)号：CN114078878A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110846247.5
申请日：2021-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了半导体器件和包括其的数据存储系统。半导体器件包括：第一衬底；有源电路或无源电路，位于所述第一衬底上；第二衬底，位于所述有源电路或无源电路上方；栅电极，在第一方向上彼此间隔开地堆叠在所述第二衬底上；沟道结构，穿过所述栅电极并且在所述第一方向上延伸，并且每个所述沟道结构包括沟道层；分隔区域，穿过所述栅电极并且在第二方向上延伸；贯穿接触插塞，在所述第一方向上延伸穿过所述第二衬底并且将所述栅电极和所述有源电路或无源电路彼此电连接；以及阻挡结构，与所述贯穿接触插塞间隔开并且包围所述贯穿接触插塞，并且具有第一区域和第二区域，所述第一区域均具有第一宽度，所述第二区域均具有大于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN118829222A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410468014.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：板层；栅电极和层间绝缘层，在垂直于板层的上表面的第一方向上交替地堆叠在板层上，并且形成第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构；沟道结构，穿透栅电极并且在第一方向上延伸；以及接触插塞，在第一方向上延伸并且电连接到栅电极之一，其中第二堆叠结构包括在最下部的第一栅电极、在第一栅电极上的第一层间绝缘层和在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，第一层间绝缘层具有第一厚度，第二层间绝缘层具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118475128A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311215751.0
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：电路区域，包括位于第一基板上的外围电路结构；单元区域，位于电路区域上并且包括单元阵列区域和连接区域，该单元区域包括：第二基板；栅极堆叠结构，位于第二基板上并且包括下结构和上结构，下结构和上结构包括栅电极；沟道结构，穿透栅极堆叠结构；栅极接触，穿透栅极堆叠结构以电连接到电路区域，并且电连接到通过栅电极与栅极接触之间的绝缘图案与栅电极绝缘的连接栅电极；以及边界绝缘图案，部分地形成在下结构的栅电极当中与上结构和下结构之间的边界部分相邻的边界栅电极中从而围绕栅极接触以维持边界栅电极的电连接路径，并且具有与绝缘图案的结构不同的结构。
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公开(公告)号：CN117596879A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310488620.3
申请日：2023-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置和电子系统。该半导体装置包括：第一栅极堆叠件，其包括第一绝缘图案和第一导电图案；第一栅极堆叠件上的第二栅极堆叠件，第二栅极堆叠件包括第二绝缘图案和第二导电图案；穿过第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的存储器沟道结构；穿过第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的穿通接触件；以及穿通接触件的相对侧上的屏障图案，第一绝缘图案包括第一连接绝缘图案，第一连接绝缘图案是最上面的一个第一绝缘图案，第二绝缘图案包括与第一连接绝缘图案的顶表面接触的第二连接绝缘图案，屏障图案的底表面与第一连接绝缘图案的顶表面接触，屏障图案的顶表面与第二连接绝缘图案接触。
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