公开(公告)号：CN105489715B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510612160.6

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  李东律 ,  金承贤 ,  金长美 ,  尹晳胡 ,  李尚准

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。

公开(公告)号：CN105489715A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510612160.6

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  李东律 ,  金承贤 ,  金长美 ,  尹晳胡 ,  李尚准

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0008 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。

公开(公告)号：CN105006502A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510202504.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东律 ,  韩尚宪 ,  金承贤 ,  金长美 ,  威廉·索拉里 ,  沈炫旭 ,  尹晳胡

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01J37/3288

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和维护沉积设备的方法。制造半导体器件的方法包括：通过将铝(Al)源供应至处理室，在处理室的表面上形成铝化合物膜，所述表面接触处理室中的铝源；在形成铝化合物膜之后，将晶圆布置在设置在处理室中的承受器上；以及在晶圆上形成用于半导体器件的薄膜。