公开(公告)号：CN105489715B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510612160.6

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  李东律 ,  金承贤 ,  金长美 ,  尹晳胡 ,  李尚准

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。

公开(公告)号：CN107068821A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610878813.X

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李建勋 ,  沈恩德 ,  尹晳胡 ,  李庭旭 ,  李焘英 ,  李基元 ,  金喆敏 ,  南泰邦

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/52 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/325 ,  H01L33/025 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/52

Abstract: 本文公开了一种材料层堆叠件、一种发光元件、一种发光封装件和一种制造发光元件的方法。所述材料层堆叠件包括：具有第一晶格常数的衬底；以及在衬底上生长的半导体层，所述半导体层具有与第一晶格常数不同的第二晶格常数。通过利用该材料层堆叠件，可获得具有低漏电流、低操作电压和优异的发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN110246948B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201811383223.5

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东国 ,  金文燮 ,  安成真 ,  尹晳胡 ,  李承桓

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

Abstract: 一种发光二极管(LED)封装件包括：LED，其在平面图中具有多边形形状；透光层，其将来自LED的光在向上的方向上导向；波长转换层，其改变发射透过透光层的光的波长；以及涂层，其覆盖透光层和在向上的方向上反射发射透过透光层的光。在透光层的平面图中，从与LED的顶点相对应的第一点至与LED的对角线的延长线的一端相对应的第二点的长度大于或等于从第一点至与LED的边的延长线的一端相对应的第三点的长度。

公开(公告)号：CN110246948A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201811383223.5

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东国 ,  金文燮 ,  安成真 ,  尹晳胡 ,  李承桓

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

Abstract: 一种发光二极管(LED)封装件包括：LED，其在平面图中具有多边形形状；透光层，其将来自LED的光在向上的方向上导向；波长转换层，其改变发射透过透光层的光的波长；以及涂层，其覆盖透光层和在向上的方向上反射发射透过透光层的光。在透光层的平面图中，从与LED的顶点相对应的第一点至与LED的对角线的延长线的一端相对应的第二点的长度大于或等于从第一点至与LED的边的延长线的一端相对应的第三点的长度。

公开(公告)号：CN105489715A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510612160.6

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  李东律 ,  金承贤 ,  金长美 ,  尹晳胡 ,  李尚准

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0008 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。

公开(公告)号：CN105006502A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510202504.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东律 ,  韩尚宪 ,  金承贤 ,  金长美 ,  威廉·索拉里 ,  沈炫旭 ,  尹晳胡

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01J37/3288

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和维护沉积设备的方法。制造半导体器件的方法包括：通过将铝(Al)源供应至处理室，在处理室的表面上形成铝化合物膜，所述表面接触处理室中的铝源；在形成铝化合物膜之后，将晶圆布置在设置在处理室中的承受器上；以及在晶圆上形成用于半导体器件的薄膜。