公开(公告)号：CN106549001B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201610675009.1

申请日：2016-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  金原永 ,  张爱妮 ,  李灿浩

IPC: H01L23/498

Abstract: 公开了具有再分布焊盘的半导体装置。所述半导体装置包括设置在半导体基板上的多个电焊盘以及电连接到电焊盘和外部端子的多个再分布焊盘。所述多个再分布焊盘包括构成用于第一电信号的传输路径的多个第一再分布焊盘以及构成用于与第一电信号不同的第二电信号的传输路径的至少一个第二再分布焊盘。第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行，所述至少一个第二再分布焊盘设置在所述至少两行第一再分布焊盘之间。

公开(公告)号：CN112185936A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202011039486.1

申请日：2016-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  李灿浩

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  G11C29/12

Abstract: 公开了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：多个芯片焊盘，位于芯片主体的外围电路区域中；再分布布线测试焊盘，位于芯片主体的外围电路区域中，并且在平面图中与所述多个芯片焊盘分隔开；再分布布线连接焊盘，位于芯片主体的核心区域中，并且在平面图中与所述多个芯片焊盘和再分布布线测试焊盘分隔开；再分布布线层，电连接到所述多个芯片焊盘，其中，再分布布线测试焊盘和再分布布线连接焊盘直接连接到同一再分布布线层；存储器单元阵列，在芯片主体的外围电路区域中不与再分布布线测试焊盘的下部竖直地叠置；以及键合引线，将再分布布线连接焊盘电连接到外部装置。

公开(公告)号：CN102376598A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110229962.0

申请日：2011-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑泰敬 ,  安殷徹 ,  李宜珩 ,  李相熙

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/68764 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种用于晶片级突起回流的设备、系统和方法。一种用于形成晶片级突起的方法包括如下步骤：在晶片的第一表面上形成至少一个预突起；在第一表面面朝下的同时，对预突起执行突起回流工艺，从而形成突起。

公开(公告)号：CN106340505A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610542639.1

申请日：2016-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  李灿浩

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：芯片焊盘，设置在芯片主体的第一区域中；再分布布线测试焊盘，设置在芯片主体的第一区域中，与芯片焊盘分隔开并且通过再分布布线结构连接到芯片焊盘；以及再分布布线连接焊盘，设置在芯片主体的第一区域中或芯片主体的第二区域中并且通过再分布布线结构连接到芯片焊盘。

公开(公告)号：CN1728370A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510087557.4

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁荣 ,  沈成珉 ,  张东铉 ,  郑显秀 ,  宋永僖 ,  朴明洵

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制备多芯片封装用集成电路芯片的方法及所形成的晶片和芯片。该形成集成电路芯片的方法包括在其上具有多个接触焊盘的半导体晶片上形成多个十字形槽，以及使用电绝缘层填充十字形槽。将电绝缘层构图来在其中限定至少第一和第二通孔，所述第一和第二通孔延伸在十字形槽的第一个中。分别以第一和第二过芯片连接电极填充第一和第二通孔。随后，通过切穿十字形图案中的电绝缘层将半导体晶片划片为多个集成电路芯片，所述十字形图案中的电绝缘层与十字形槽的位置重叠。

公开(公告)号：CN112185936B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202011039486.1

申请日：2016-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  李灿浩

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  G11C29/12

Abstract: 公开了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：多个芯片焊盘，位于芯片主体的外围电路区域中；再分布布线测试焊盘，位于芯片主体的外围电路区域中，并且在平面图中与所述多个芯片焊盘分隔开；再分布布线连接焊盘，位于芯片主体的核心区域中，并且在平面图中与所述多个芯片焊盘和再分布布线测试焊盘分隔开；再分布布线层，电连接到所述多个芯片焊盘，其中，再分布布线测试焊盘和再分布布线连接焊盘直接连接到同一再分布布线层；存储器单元阵列，在芯片主体的外围电路区域中不与再分布布线测试焊盘的下部竖直地叠置；以及键合引线，将再分布布线连接焊盘电连接到外部装置。

公开(公告)号：CN106549001A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610675009.1

申请日：2016-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  金原永 ,  张爱妮 ,  李灿浩

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L24/02 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06139 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06152 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06156 ,  H01L2224/06159 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/06169 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0613

Abstract: 公开了具有再分布焊盘的半导体装置。所述半导体装置包括设置在半导体基板上的多个电焊盘以及电连接到电焊盘和外部端子的多个再分布焊盘。所述多个再分布焊盘包括构成用于第一电信号的传输路径的多个第一再分布焊盘以及构成用于与第一电信号不同的第二电信号的传输路径的至少一个第二再分布焊盘。第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行，所述至少一个第二再分布焊盘设置在所述至少两行第一再分布焊盘之间。

公开(公告)号：CN1738017A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510092056.5

申请日：2005-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  沈成珉 ,  张东铉 ,  朴明洵 ,  宋永僖

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/485

CPC classification number: H05K3/3436 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H05K3/0023 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49149 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明涉及集成电路(IC)芯片和封装。在半导体器件的制造中，沉积感光层从而以该感光层覆盖电极的暴露部分。该感光层然后经历光刻工艺从而部分地去除该感光层的覆盖该电极的部分。该电极可以是球电极或凸点电极，该半导体器件可以包含在晶片级封装(WLP)或倒装芯片封装中。

公开(公告)号：CN106847762B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201611025660.0

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿浩 ,  郑显秀 ,  朴明洵

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 公开了一种半导体装置和一种半导体封装件。所述半导体装置包括：基底；去耦电容器，设置在基底上；第一连接焊盘，与去耦电容器竖直地叠置；钝化层，暴露第一连接焊盘的一部分；以及第一焊料凸块，设置在第一连接焊盘上并覆盖钝化层的顶表面的一部分。

公开(公告)号：CN106340505B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201610542639.1

申请日：2016-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  李灿浩

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：芯片焊盘，设置在芯片主体的第一区域中；再分布布线测试焊盘，设置在芯片主体的第一区域中，与芯片焊盘分隔开并且通过再分布布线结构连接到芯片焊盘；以及再分布布线连接焊盘，设置在芯片主体的第一区域中或芯片主体的第二区域中并且通过再分布布线结构连接到芯片焊盘。